第七章 半导存储器52701.pptVIP

第七章 半导体存储器 第七章 半导体存储器 7.1 概述 能存储大量二值信息的器件 一、一般结构形式 二、分类 1、从存/取功能分： ①只读存储器 (Read-Only-Memory） ②随机读/写 （Random-Access-Memory） 7.2 ROM 7.2.1 掩模ROM 一、结构 两个概念： 存储矩阵的每个交叉点是一个“存储单元”，存储单元中有器件存入“1”，无器件存入“0” 存储器的容量：“字数 × 位数” 掩模ROM的特点： 出厂时已经固定，不能更改，适合大量生产, 简单，便宜，非易失性 7.2.2 可编程ROM（PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 7.2.3 可擦除的可编程ROM（EPROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 一、用紫外线擦除的PROM（UVEPROM） 二、电可擦除的可编程ROM（E2PROM） 总体结构与掩模ROM一样，但存储单元不同 三、快闪存储器（Flash Memory） 为提高集成度，省去T2（选通管） 改用叠栅MOS管（类似SIMOS管） 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（SRAM） 一、结构与工作原理 二、SRAM的存储单元 7.3.2* 动态随机存储器（DRAM） 动态存储单元是利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 二、举例 作业：P4007.3, 7.4, 7.9 , 7.10 例2：试用ROM构成能实现函数y=x2的运算表电路，x的取值范围为0～15的整数。 解：（1）分析要求、设定变量 自变量x的取值范围为0～15的整数，对应的4位二进制正整数，用B=B3B2B1B0表示。根据y=x2的运算关系，可求出y的最大值是152＝225，可以用8位二进制数Y=Y7Y6Y5Y4Y3Y2Y1Y0表示。 （2）列真值表—函数运算表 Y7=m12+m13+m14+m15 （3）写标准与或表达式 Y4=m4+m5+m7+m9+m11+m12 Y6=m8+m9+m10+m11+m14+m15 Y5=m6+m7+m10+m11+m13+m15 Y3=m3+m5+m11+m13 Y1=0 Y2=m2+m6+m10+m14 (4)画ROM存储矩阵节点连接图 为作图方便，我们将ROM矩阵中的二极管用节点表示。 Y0= m1+m3+m5+m7+m9+m11+m13+m15 Y7 Y6 Y5 Y4 B3 B3 B2 B2 B1 B1 B0 B0 m0 m1 m2 m3 m4 m5 m6 m7 m8 m9 m10 m11 m12 m13 m14 m15 门 阵 列 与 Y3 Y2 Y1 Y0 × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × × 阵 或 列 门 选用16×8位ROM 数字电路 第七章 半导体存储器 * 第*页 江苏技术师范学院电信学院 输入/出电路 I/O 输入/出 控制 单元数庞大 输入/出引脚数目有限 2、从工艺分： ①双极型 ②MOS型 二、举例 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) D0 Dm 写入时， 要使用编程器 六管N沟道增强型MOS管 例：用八片1024 × 1位→ 1024 × 8位的RAM 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 接法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 1024 x 8 RAM 例：用四片256 × 8位→1024 × 8位 RAM 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 0 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 0 1 0 0 0 D0 D1 D2 D3 A0 A1 数 据 地 址 A0~An-1 W0 W(2n-1) 三、ROM的应用 1.