集成电路基本介绍.pptVIP

本课程性质和要求课程性质： 本课程是一门将半导体物理、微电子工艺、微电子器件原理、电子线路等相关知识集于一体的、将微观的器件设计、电路设计与宏观的外部应用特性以及加工工艺密切结合的综合性课程，它体现了所学知识的内在联系和综合运用，是专业主干课程，是考试课程。 本课程性质和要求课程要求： 重点掌握集成电路的基本工作原理和设计技术。以基础为重点，以内在联系为引线，提高知识的综合运用能力。同时了解新技术的发展。成绩记载方式： 平时成绩占40%（包括出勤，课上提问，作业，阶段性测试），期末考试占60% 本课程平时成绩考核要求1、基本分为702、扣分情况：缺勤，迟到，作业不交，作业质量低，上课态度不端正3、加分情况：全勤，上课认真，作业完成质量好 概念解释 一、集成电路发展历程 1952年 G.W.A.Dummer在华盛顿学会上提出了集成电路(IC—Integrated Circuit)的概念： 把多个器件及其间的连线以批加工方式同时制作在一个芯片上。 一、集成电路发展历程1958年 美国无线电公司Wallmark等人发表了PN结隔离(Isolation)的思想: 把多个器件制作在一个芯片上，器件之间必须实现电隔离，使每个器件相对独立。 一、集成电路发展历程 1959年 TI 公司研制出第一块集成电路（四个晶体管）  ~1963年 DTL、TTL、ECL、MOS、CMOS 集成电路相继出现 一、集成电路发展历程 1965年 仙童半导体公司(Fairchild)戈登?摩尔提出Moor 定律：  每一代（3年）硅芯片上的集成密度翻两番。 加工工艺的特征线宽每代以30%的速度缩小。集成度:单个芯片上集成的器件数 一、集成电路发展历程 70年代末80年代初开始发展专用集成电路（ASIC —Application Specific Integrated Circuit) 90年代中末期开始发展片上系统（ SoC—System on Chip) 一、集成电路发展历程集成电路规模 SSI (Small Scale Integration) 102 MSI (Middle Scale ~) 102-103  LSI (Large Scale ~) 103-104  VLSI (Very Large Scale ~) 105-107  ULSI (Ultra Large Scale ~) 108 一、集成电路发展历程特征线宽微米 Micrometer: 1.0um  (1.0um 1.2um 1.5um 2um 3um 4um 5um…)亚微米(SM -- Sub-Micrometer): 0.8um 0.6um深亚微米(DSM-- Deep Sub-Micrometer): 0.5um 0.35um 0.25un超深亚微(VDSM--Very Deep Sub-Micrometer):  0.25um 0.18um 0.13um纳米：0.09um (90nm) 0.07um (70nm) 一、集成电路发展历程晶圆（Wafer)直径： 1.5吋(40mm) 2吋 (50mm) 3吋 (75mm) 4吋(100mm) 6吋(150mm) 8吋(200mm) 12吋(300mm) 16吋(400mm) 二、集成电路的优点：1. 高集成度：简化电子线路，缩短电子产品的设计和组装周期，体积小，重量轻2. 高速度：器件尺寸小、连线短、分布电容小等3. 高可靠：减少了外部接触点，不易受外界影响4.低成本：①生产成本(制版、流片、 封装、测试等)； ②印刷电路成本(接插件、装配、调试等)5. 低功耗：器件功率低、工作电压低 三、 应用领域 集成电路最初是作为超小型电路的一个分支而诞生的，是为了满足宇航设备及军用设备所追求的小型化和轻量化的目标。 由于其优点具有普遍性，应用领域逐渐扩大，乃至发展到各行各业的各个领域。 三、 应用领域图示 四、 集成电路的类别（一）按结构分双极型集成电路 器件为BJT，速度高、驱动能力强，但功耗大、集成度相对较低MOS集成电路 器件为MOSFET，包括PMOS集成电路、NMOS集成电路和CMOS集