第2章-变频器常用电力电子器件.ppt

2.5 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的结构 ?是单极型晶体管。 ?结构上与小功率MOS管有较大区 别，小功率MOS管是横向导电器件，而 目前电力MOSFET大都采用了垂直导电 结构，所以又称为VMOSFET（Vertical MOSFET），这大大提高了MOSFET器 件的耐压和耐电流能力。 ?按垂直导电结构的差异，分为利用 V型槽实现垂直导电的VVMOSFET （Vertical V-groove MOSFET）和具有 垂直导电双扩散MOS结构的DMOSFET （Vertical Double-diffused MOSFET）。 ?电力MOSFET也是多元集成结构。 图2-20 电力MOSFET的结构 和电气图形符号 内部结构断面示意图 b) 电气图形符号 2.5 电力场效应晶体管 ◆电力MOSFET的工作原理 ?截止：当漏源极间接正电压，栅极和源极间电压为零 时，P基区与N漂移区之间形成的PN结J1反偏，漏源极之间 无电流流过。 ?导通 √在栅极和源极之间加一正电压UGS，正电压会将其下面P区中的空穴推开，而将P区中的少子——电子吸引到栅极下面的P区表面。 √当UGS大于某一电压值UT时，使P型半导体反型成N型半导体，该反型层形成N沟道而使PN结J1消失，漏极和源极导电。 √UT称为开启电压（或阈值电压），UGS超过UT越多，导电能力越强，漏极电流ID越大。 ■电力MOSFET的基本特性 ◆静态特性 ?转移特性 √指漏极电流ID和栅源间电压 UGS的关系，反映了输入电压和输 出电流的关系 。 √ID较大时，ID与UGS的关系近似 线性，曲线的斜率被定义为 MOSFET的跨导Gfs，即 2.5 电力场效应晶体管 图2-21 电力MOSFET的 转移特性和输出特性 a) 转移特性 (2-11) √是电压控制型器件，其输入阻 抗极高，输入电流非常小。 2.5 电力场效应晶体管 ?输出特性 √是MOSFET的漏极伏安特性。 √截止区（对应于GTR的截止区）、饱和区（对应于GTR的放大区）、非饱和区（对应于GTR的饱和区）三个区域，饱和是指漏源电压增加时漏极电流不再增加，非饱和是指漏源电压增加时漏极电流相应增加。 √工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。 ?本身结构所致，漏极和源极之间形成了一个与MOSFET反向并联的寄生二极管。 ?通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。 图2-21 电力MOSFET的转移特性和输出特性 b) 输出特性 感性负载开关模型 开通过程 关断过程 ◆动态特性 开通过程 开通过程 开通延迟阶段，电源通过RGATE给CGS充电； 门极电压充到VTH，进入线性区，漏极电流随VGS线性增大到最大值，而这时VDS不变； ID不变，VGS进入Miller平台，保持基本不变，VDS开始下降，直到0。 Miller平台结束后，VGS继续充电到电源电压。 关断过程 关断过程 2.5 电力场效应晶体管 ?不存在少子储存效应，因而其关断过程是 非常迅速的。 ?开关时间在10~100ns之间，其工作频率可 达100kHz以上，是主要电力电子器件中最高 的。 ?在开关过程中需要对输入电容充放电，仍 需要一定的驱动功率，开关频率越高，所需 要的驱动功率越大。 2.5 电力场效应晶体管 ■电力MOSFET的主要参数 ◆跨导Gfs、开启电压UT以及开关过程中的各时间参数。 ◆漏极电压UDS ?标称电力MOSFET电压定额的参数。 ◆漏极直流电流ID和漏极脉冲电流幅值IDM ?标称电力MOSFET电流定额的参数。 ◆栅源电压UGS ?栅源之间的绝缘层很薄，?UGS?>20V将导致绝缘层击穿。 ◆极间电容 ? CGS、CGD和CDS。 ◆漏源间的耐压、漏极最大允许电流和最大耗散功率决 定了电力MOSFET的安全工作区。 2.6绝缘栅双极晶体管 ■IGBT的结构和工作原理 ◆IGBT的结构 ?是三端器件，具有栅极G、 集电极C和发射极E。 ?由N沟道VDMOSFET与双 极型晶体管组合而成的IGBT， 比VDMOSFET多一层P+注入