第七章场效应管及其基放大电路.pptVIP

第七章 场效应管及其基本放大电路 第七章 场效应管及其基本放大电路 7.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 7.2 结型场效应管（JFET） 7.3 场效应管的主要参数及其各种FET的特性比较 7.4 场效应管放大电路 FET分类 7.1 金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管 1. 结构 2.工作原理 （2）uDS对iD的影响 （2）uDS对iD的影响 （3） uDS和uGS同时作用时 3．伏安特性曲线与电流方程 （1）输出特性曲线 （2）转移特性 7.1.2 耗尽型MOS管 2．伏安特性 小结：MOS管的特性 7.2 结型场效应管（JFET） 2. 工作原理 （2）漏-源电压对漏极电流的影响 3. JFET特性 （1） JFET转移特性 （2） JFET输出特性 7.3场效应管的分类 各种场效应管的特性比较（1） 各种场效应管的特性比较（2） 各种场效应管的特性比较（3） 各种场效应管的特性比较（4） 7.3场效应管的分类 7.3场效应管的分类 7.4 场效应管放大电路 2. 自给偏压电路 3. 分压式偏置电路 3. 分压式偏置电路 7.4.2 共源极放大电路的动态分析 1．场效应管的微变等效电路 2. 基本共源放大电路的动态分析 （2）画出放大电路的微变等效电路 7.4.3 共漏极放大电路的动态分析 (3)求输出电阻 各种放大器件电路性能比较 各种放大器件电路性能比较 各种放大器件电路性能比较 例题 例题 【例7.4.1】 场效应管偏置电路及其转移特性曲线如图所示。试求IDQ、UGSQ及UDSQ的值。 解：由图(b)可读得：IDSS = 2.3mA、UP = －3V。列方程组 解方程组得到两个解：IDQ1 = 1.01mA、IDQ2 = 8.9mA，其中IDQ2IDSS，不合实际，舍去。故 7.4 场效应管放大电路 自给偏压电路中源极电阻越大，电路静态工作点越稳定。但是源极电阻太大会使偏置太大，电路的工作点将接近截止点，使得gm和Au随之减小。 增强型场效应管只有栅-源电压先达到某个开启电压Uth时才有漏极电流ID，因此对增强型场效应管不能使用自偏压电路。 分压式偏置电路可克服此缺点。 7.4 场效应管放大电路 即典型的Q点稳定电路 适合任何类型的场效应管构成的放大电路。 为什么加Rg3?其数值应大些小些？ 哪种场效应管能够采用这种电路形式设置Q点？ 【例7.4.2】 图所示电路中N沟道增强型MOSFET的参数为：Uth = 1V，K = 0.5mA/V2。求UGSQ，UDSQ，IDQ。 解： 解得： 因为是N沟道增强型MOSFET，舍去负值得： 3. 分压式偏置电路 1．场效应管的微变等效电路 输入回路中，由于栅-源极之间呈现很高的电阻，基本不从信号源索取电流，故可认为栅-源间近似开路。 因而可认为输出回路是一个电压控制的电流源。 rds它是输出特性曲线在静态工作点上斜率的倒数，相当于晶体管的rce，其数值通常比较大，可以认为是开路。 在输出回路中，漏极电流仅仅决定于栅-源电压，满足 （1）对于耗尽型管 在静态工点处，用IDQ代入得 （2）对于增强型管 可见，gm与Q点密切相关，与晶体管放大电路一样，Q点不仅影响电路是否会产生失真，而且影响着电路的动态参数。 根据iD的表达式或转移特性可求得gm。 输出电阻分析 【例7.4.3】在图（a）所示电路中，已知 MOS管的K = 0.5mA/V2 （1）求静态工作点Q； （2）求 解：（1）根据直流通路,有 7.4.2 共源极放大电路的动态分析 解： 联立求解，得出 舍去负值，得出合理解为 7.4.2 共源极放大电路的动态分析 低频等效跨导为 (2)动态分析,画出微变等效电路 (1)静态工作点的计算方法与共源极电路类似 共漏放大电路也称为源极输出器或源极跟随器。 由于 共漏极放大电路的特点与共集电极放大电路相似. 分析共漏极放大电路的输出电阻 采用外加电源法求输出电阻，将输入端短路，在输出端加交流电压源 组态对应关系： CE BJT FET CS CC CD CB CG 电压增益： BJT FET CE： CC： CB： CS： CD： CG： 输出电阻： BJT FET 输入电阻： CE： CC： CB： CS： CD： CG： CE： CC： CB： CS： CD： CG： 解： 画中频小信号等效电路 放大电路如图所示。已知 试求电路的中频增益、输入电阻和输出电。 则电压增益为 由于 则 根据电路有 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 说明uGS控制iD的明显的非线性关系。 金属-氧化物-半导体场效应管（