高性能电流模式茂捷M5576兼容士兰微SD4569.docVIP

实用标准文案 PAGE 精彩文档 概述： M5576是一款高集成度、高性能、电流模式PWM控制 芯片，离 线式AC-DC反激拓扑结构，具备低待机功耗和低成本优点。正常工作下，PWM开关频率处于合理的范围内，在空载或轻载条件下，IC工作在“ 跳周期模 式 来减少开关损耗 ，从而实现低待机功耗和高转换效率，M5576提供完善的保护功能，包括 自动恢复保护、逐周期电流限制(OCP)、 过载保护(OLP)、VDD的欠压锁定(UVLO)、过温保护(OTP)和过电压(固定或可调的)保护(OVP)，具备抖频功能，改善系统的EMI性能。 特点： 软启动功能，减少功率MOSFET的VDS应力 跳周期模式控制的改进，提高效率降低待机功耗 抖频功能，改善系统EMI性能 消除音频噪声 65KHz的开关频率 完善的保护功能 VDD欠压保护 逐周的过流阈值设置，恒定输出功率 自动恢复式过载保护（OLP） 自动恢复式过温保护（OTP） 锁定型的VDD过压保护（OVP） 锁定型的过温保护（OTP） 过压保护点OVP通过外部稳压二极管可调 采用SOT-23-6和DIP-8封装 应用： 手机充电器 上网本充电器 笔记本适配器 机顶盒电源 各种开放式开关电源 产品规格分类： 产品名称 开关频率 封装形式 包装形式 M5576SR 65KHz SOT-23-6 编带3K/盘 M5576PR 65KHz DIP-8 管装50个/管2000个/盒 典型应用： 图1M5576SR应用图SOT-23-6 图2M5576PR应用图DIP-8 管脚排列图： M5576SRM5576PR M5576SR M5576PR 图3DIP-8(顶部视图) 图4SOT-23-6(顶部视图) 管脚描述： 管脚号 管脚名称 管脚描述 SOT-23-6 DIP-8 6 1 DRV 输出PWM信号驱动外部功率MOSFET 5 2 VDD 芯片供电 3、6 NC 悬空 4 4 SEN 电流检测 3 5 RT 多功能引脚。通过连接一个热敏电阻接地实现过温OTP控制功能，也可通过齐纳管接到VDD调节过压保护 2 7 COMP 芯片内部电路的环路补偿 1 8 GND 接地 极限参数： 项目 参数值 单位 最小值 最大值 VDD直流供电电压 30 V VDD齐纳钳位电压 10 V VDD直流钳位电流 VDD_Clamp+0.1 mA COMP输入电压 -0.3 7 V SEN输入电压 -0.3 7 V OTP输入电压 -0.3 7 V 最小/最大工作结温 -20 150 ℃ 最小/最大贮存温度 -55 165 ℃ 最高温度（焊接，10秒） 260 ℃ 注：如果器件工作条件超出上述各项极限值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数是工作条件的极限值，不建议器件工作在推荐条件以外的情况。器件长时间工作在极限工作条件下，其可靠性及寿命可能受到影响。 芯片内部框图： 图5M5576内部框图 电气参数(Ta=25oC)： 项目 参数 测试条件 最小 典型 最大 单位 供电电压（VDD） I_Startup VDD启动电流 VDD=UVLO(OFF)-1V，测试流入VDD的电流 5 20 uA I_VDD_Ops 工作电流 VCOMP=3V 1.4 2.5 mA VDD_OFF 欠压锁存开启 8 9 10 V VDD_ON 欠压锁存结束（恢复） 14.5 15.5 16.5 V Vpull_up 上拉PMOS启动 13 V Vdd_Clamp IVDD=10mA 30 32 34 V OVP(ON) 过压保护电压 SEN=0.3V,COMP=3V,VDD升高直到DRV时钟关闭 26 28 30 V 反馈输入部分（COMPPin） VCOMP_Open VCOMP开环电压 4 5 V 最大占空比 Maxdutycycle@VDD=14V,COMP=3V,VSEN=0.3V 75 80 85 % Vref_green 进入绿色模式的阈值 1.4 V Vref_burst_H 进入跳周期模式的阈值 0.68 V Vref_burst_L 离开跳周期模式的阈值 0.58 V ICOMP_Short COMP引脚短路电流 测量COMP短路到地的电流 0.4 mA VTH_PL 过载时的COMP电压 3.6 V TD_PL 过载延迟时间 80 88 96 mS ZCOMP_IN 输入阻抗 16 KΩ 电流检测输入（SENpin） SST 软启动时间 4 ms T_blanking 前沿消隐时间 220 ns TD_OC 过载延迟时间 从过流产生到DRV引脚关闭 120 ns VTH_OC 内部电流限制阈值电压与零占空比 0.75 V Vocp_clamping SEN电