集成电路材料、结构与理论.pdfVIP

第二章 IC制造材料、结构与理论 2.1 集成电路材料 分类 材料 电导率 导体 铝、金、钨、铜等 5 -1 10 S ·cm 硅、锗、砷化镓、 -9 2 -1 半导体 10 ~10 S ·cm 磷化铟等 绝缘体 SiO 、SiON、Si N 等 10-22~10-14S ·cm-1 2 3 4 IC 的衬底材料构建复杂的材料系统、固态器件、集成电路 IC 的基本元件是依据半导体特性构成的 1 半导体特性： 掺入杂质可改变电导率制造不同的半导体材料 热敏效应热敏器件、热稳定性下降 光电效应光敏电阻、光电晶体管、光电耦合器 注入电流发光，可制造发光二极管和激光二极管。 2 2.1.1 硅 (Si)  基于硅的多种工艺技术： 双极型晶体管 （BJT ） 结型场效应管 （J-FET ） PP型型、、NN型型MOSMOS场效应管场效应管 双极CMOS （BiCMOS ） 来源丰富、技术成熟、集成度高、 晶圆尺寸大、芯片速度快、价格低廉 占领了90 ％的IC市场 3 2.1.2 砷化镓(GaAs) 具有更高的载流子迁移率， 和近乎半绝缘的电阻率 能工作在超高速超高频 GaAGaA 的优点的优点: : 电子迁移率高，f 达150GHz，毫米波、超高速电路 T 导带价带位置— 电子空穴直接复合--可制作发光器件LED\LD\OEIC—光纤数字传输 禁带宽度—载流子密度低--更高的温度 /更好的抗辐射性能 兼顾速度与功耗，在微米毫米波范围内GaA IC处于主导地位 GaAs IC 的三种有源器件: MESFET, HEMT 和 HBT 4 2.1.3 磷化铟(InP) 能工作在超高速超高频 三种有源器件: MESFET, HEMT和HBT 电子空穴直接复合电子空穴直接复合 ——发光器件发光器件、、OEICOEIC GaInAsP/InP系统发出激光波长0.92-1.65um 覆盖了玻璃光纤的最小色散 （1.3um）和最小衰减 （1.55um）的两个窗口，广泛应用于光纤通信系统中。 技术不够成熟 5 2.1.4 绝缘材料 SiO 、SiON、Si N 2 3 4 功能包括： IC器件之间、有源层与导线层之间 电隔离 MOS器件栅极与沟