第二章常用半导体器件原理资料.ppt

第二章　集成运算放大器的线性应用基础 模拟电子技术基础 孙 肖 子 2.4.2　晶体管的伏安特性 一、输出特性 放大区(发射结正偏，集电结反偏 ) 共发射极交流电流放大倍数： 共基极交流电流放大倍数： 近似关系： 恒流输出和基调效应 饱和区(发射结正偏，集电结正偏 ) ?　 饱和压降 uCE(sat) ? 截止区(发射结反偏，集电结反偏 ) ?各极电流绝对值很小 二、输入特性 　　当uBE大于导通电压 UBE(on) 时，晶体管导通，即处于放大状态或饱和状态。这两种状态下uBE近似等于UBE(on) ，所以也可以认为UBE(on) 是导通的晶体管输入端固定的管压降；当uBE UBE(on) 时，晶体管进入截止状态。 晶体管电流方程： 2.4.3　晶体管的近似伏安特性和简化直流模型 近似伏安特性 简化直流模型 I——放大区 II——饱和区 III——截止区 2.4.4　直流偏置下晶体管的工作状态分析 　　　　确定直流偏置下晶体管工作状态的基本步骤： 　　1．根据外电路电源极性判断发射结是正偏还是反偏。如果发射结反偏或正偏电压不到 | UBE(on) | ，则晶体管处于截止状态，IB、IC和IE均为零，再由外电路计算极间电压UBE、UCE和UCB； 　　2．如果第1步判断发射结正偏电压达到 | UBE(on)