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第一节 半导体二极管 1、什么是半导体？什么是本征半导体？ 导电性介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体。 导体－－铁、铝、铜等金属元素等低价元素，其最外层电子在外电场作用下很容易产生定向移动，形成电流。 绝缘体－－惰性气体、橡胶等，其原子的最外层电子受原子核的束缚力很强，只有在外电场强到一定程度时才可能导电。 半导体－－硅(Si)、锗(Ge)，均为四价元素，它们原子的最外层电子受原子核的束缚力介于导体与绝缘体之间。 本征半导体是纯净的晶体结构的半导体。 物质因浓度差而产生的运动称为扩散运动。气体、液体、固体均有之。 三、半导体二极管将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。 稳压二极管的伏安特性 由一个PN结组成，反向击穿后在一定的电流范围内端电压基本不变，为稳定电压。 2、光电二极管（又称光敏二极管） 是一种将光信号转换为电信号的特殊二极管。它与PN结二极管类似，不同之处在于：在它的PN结处通过管壳上的一个玻璃窗口能接收外部的光照。它工作于反向偏置状态。 主要特点是它的反向电流与照度成正比： 有光照时，电流会急剧增加，称为光电流； 无光照时，反向电流很小，称为暗电流。 本章小结 1. PN结是半导体二极管和其他有源器件的重要环节，它是由P型半导体和N型半导体相结合而成。对纯净的半导体（如硅材料）掺入杂质，便可制成P型或N型半导体。空穴导电是半导体不同于金属导电的重要特点。 2. PN结中的P型半导体与N型半导体的交界处形成一个空间电荷区。当PN结外加正向电压时（正向偏置），空间电荷区变窄，有电流流过;而当外加反向电压时（反向偏置），空间电荷区变宽，没有或极小电流流过，这就是半导体二极管的单向导电性。 3. 齐纳二极管是一种特殊的二极管，利用它在反向击穿状态下的恒压性，常用来构成简单的稳压电路，它的正向压降与普通二极管相近。 本章小结 4. 晶体管是由两个PN结组成的三端有源器件，分PNP和NPN两种类型，它的三个端子为发射极e、基极b和集电极c。 5. 表征晶体管性能的有输入特性和输出特性，其中输出特性用的较多，我们称之为V-I特性，从输出特性上可以看出，用改变基极电流的方法可以控制集电极电流，因而晶体管是一种电流控制器件。 6. 晶体管的电流放大系统是它的主要参数，按电路组态的不同有共射极电流放大系数和共基极电流放大系数之分。 7. 晶体管在电路中有共射、共集和共基三种组态，根据相应的电路输出量与输入量之间的大小与相位的关系，分别将它们称为反相电压放大器、电压跟随器和电流跟随器。 补充作业： 一二极管电路如下图所示。当vI1和vI2为0V或5V时，求vI1和vI2的值不同组合情况下，输出电压vo的值。设二极管是理想的。 下图为发光二极管发射电路通过光缆驱动光电二极管电路。 第二章 半导体器件第二节 半导体三极管 第二节 半导体三极管 一、基本结构——双极型半导体器件 晶体三极管的结构，目前最常见的有平面型和合金型两类。硅管主要是平面型，锗管都是合金型。 不论是平面型还是合金型，都是由3层不同型半导体构成。 平面型 合金型 第二节 半导体三极管 晶体三极管分为NPN型和PNP型两类 第二节 半导体三极管 二、电流放大原理 晶体管必须满足一定的偏置条件，才能有电流放大作用。 右图电路是以NPN型硅三极管接成共射形式（基极回路和集电极回路以发射极作为公共端）的示意图。 由图可见，晶体管的外部偏置条件是：电压源UBB通过电阻RB提供给发射结正向偏置；而电压源UCC通过电阻RC加到集电极，使集电结处于反向偏置。 第二节 半导体三极管 因发射区多子浓度高使大量电子从发射区扩散到基区 因基区薄且多子浓度低，使极少数扩散到基区的电子与空穴复合 因集电区面积大，在外电场作用下大部分扩散到基区的电子漂移到集电区 扩散运动形成发射极电流IE 复合运动形成基极电流IB 漂移运动形成集电极电流IC 第二节 半导体三极管 NPN三极管电流方向及各电流的关系 IC ICE ICBO IB IBE IE 共射电流放大系数 表示晶体管的电流放 大作用。（共射形式） 第二节 半导体三极管 结论 晶体管有电流放大作用。 晶体管的发射结正偏，集电结反偏时， 晶体管为电流控制器件（基极电流控制集电极电流） 参加导电的有自由电子和空穴，故又叫双极型晶体三极管 NPN PNP NPN型与PNP型晶体管电流电压的参考方向 第二节 半导体三极管 三、晶体管的伏安特性曲线 1．输入伏安特性曲线（NPN） 定义 硅管 晶体管输入特性与二极管的正向特性一样，也有一段死区。只有在发射结外加电压大于死区电压时，晶体管才会出现 。 硅管的死区电压约为 锗管的死区电压约为 晶体管导通后，其发