Mg）电子结构和光学能隙影响.PDFVIP

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 63, No. 8 (2014) 087101 Ga掺杂对纤锌矿 Zn0875O ( Be, Mg) 电子结构和光学能隙的影响 郑树文 范广涵 张涛 皮辉 俆开放 (华南师范大学光电子材料与技术研究所, 微纳光子功能材料与器件重点实验室, 广州 510631) ( 2013 年11 月27 日收到; 2014 年1 月14 日收到修改稿) 利用密度泛函理论的平面波超软赝势方法, 对纤锌矿 Zn O ( Be, Mg) 合金和Ga 掺杂 Zn O 的结构参数、能带、电子态密度和光学能隙进行计算和分析. 结果表明: Zn O 掺入Ga 容易实现并且结构更稳定. Zn O 合金掺Ga 能获得很好的n 型材料改性, 能隙由导带底 Ga 4s 态和价带顶O 2p 态决定. 由于Burstein-Moss 移动和多体效应, Ga 掺杂后的 Zn O 光学能 隙变大, 这与实验结果相一致. Zn O 掺Ga 材料可作透明导电薄膜应用