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第八章光刻与刻蚀工艺 光刻是集成电路工艺中的关键性技术。在硅片表面涂上 光刻胶薄层，经过光照、显影，在光刻胶上留下掩模版的图 形。 在集成电路制造中，利用光刻胶图形作为保护膜，对选 定区域进行刻蚀，或进行离子注入，形成器件和电路结构。 随着集成电路的集成度不断提高，器件的特征尺寸不断 减小，期望进一步缩小光刻图形的尺寸。 目前已经开始采用线宽为0.2-0.1 μm 的加工技术。 ULSI 中对光刻的基本要求 ①高分辨率。通常把线宽作为光刻水平的标志，线宽越来越细，要求光 刻具有高分辨率。 ②高灵敏度的光刻胶。光刻胶的灵敏度通常是指光刻胶的感光速度。光 刻胶灵敏度提高，曝光时间短，但往往使光刻胶的其他属性变差。 ③低缺陷。在集成电路芯片的加工进程中，如果在器件上产生一个缺 陷，即使缺陷的尺寸小于图形的线宽，也可能会使整个芯片失效。 ④精密的套刻对准。集成电路芯片的制造需要经过多次光刻，在各次曝 光图形之间要相互套准。通常要采用自动套刻对准技术。 ⑤对大尺寸硅片的加工。为了提高经济效益和硅片利用率，一般在一个 大尺寸硅片上同时制作很多个完全相同的芯片。对于光刻而言，在大尺 寸硅片上满足前述的要求难度更大。 8.1、光刻工艺流程 曝光、显影、刻蚀(或淀积)是光刻过程中的三个主要步骤。 8.1.1、涂胶 在集成电路工艺中，光刻胶层的作用是在刻蚀或离子注入过程中，保 护被光刻胶覆盖的材料。因此，光刻胶层与硅片表面之间需要牢固地黏 附。 涂胶的目的是在硅片表面形成厚度均匀、附着性强、并且没有缺陷的 光刻胶薄膜。 在涂胶之前，硅片一般需要经过脱水烘焙并且涂上用来增加光刻胶与 硅片表面附着能力的化合物。 脱水烘焙 以光刻胶在SiO 表面的附着情况为例，由于SiO 的表面是亲水性的，而 2 2 光刻胶是疏水性的，SiO 表面可以从空气中吸附水分子，含水的SiO 会使 2 2 光刻胶的附着能力降低。因此在涂胶之前需要预先对硅片进行脱水处理， 称为脱水烘焙。 ①在150-200℃释放硅片表面吸附的水分子； ②在400 ℃左右使硅片上含水化合物脱水； ③进行750 ℃以上的脱水。 涂布HMDS 在涂胶之前，还应在Si片表面上涂上一层化合物，其目的也是为了增强 光刻胶与硅片之间的附着力。目前应用比较多的是六甲基乙硅氮烷(简称 HMDS) 。 在实际应用中，HMDS的涂布都是以气相的方式进行的，HMDS 以气态 的形式输入到放有硅片的容器中，然后在硅片的表面完成涂布。 还可以将脱水烘焙与HMDS的气相涂布结合起来进行。硅片首先在容器 里经过100-200℃的脱水烘焙，然后直接进行气相涂布。由于避免了与大气 的接触，硅片吸附水分子的机会将会降低，涂布HMDS的效果将会更加理 想。 涂胶 把硅片放在一个平整的金属托盘上，有小孔与真空管相连，硅片就被吸在 托盘上，硅片与托盘一起旋转。 涂胶工艺步骤： ①将光刻胶溶液喷洒到硅片表面上； ②加速旋转托盘(硅片) ，直至达到需要 的旋转速度； ③达到所需的旋转速度后，保持一定 时间的旋转。 光刻胶的膜厚 光刻胶的膜厚与光刻胶本身的黏性有关 对于同样的光刻胶，光刻胶的膜厚由旋转速度决定，转动速度越快， 光刻胶层的厚度越薄，光刻胶的均匀性也越好。 涂胶的过程应始终在超净环境中进行。同时喷洒的光刻胶溶液中不能 含有空气，因为气泡的作用与微粒相似，都会在光刻工艺中引起缺陷。 8.1.2、前烘 在液态的光刻胶中，溶剂的成份占65 ％-85 ％，经过甩胶之后，虽然 液态的光刻胶已经成为固态的薄膜，但仍含有10 ％-30 ％的溶剂，涂胶 以后的硅片，需要在一定的温度下进行烘烤，使溶剂从光刻胶内挥发出 来，这一步骤称为前烘。(前烘后光刻胶中溶剂含量降至到5 ％左右) 在前烘过程中，由于溶剂的挥发，光刻胶的厚度也会减薄，一般减小 的幅度为10 ％-20 ％左右。 前烘的作用 降低灰尘的玷污； 减轻因高速旋转形成的薄膜应力，从而提高光刻胶的附着性。 如果光刻