1低频不电子电路第一章.pptVIP

注意：高频电路中，需考虑 Cj 影响。因高频工作时， 　　　Cj 容抗很小，PN 结单向导电性会因 Cj 的交流 　　　旁路作用而变差。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 2 二极管高频模型 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 3 二极管的计算机仿真模型（SPICE） 表1-3-1 SPICE二极管模型的主要参数表 　　一般来说，往往会根据实际的需求来选用元器件模型。其中，简单模型有利于工程上近似快速分析，也适用于手工计算的需要；复杂模型则比较适合计算机分析，也方便进行数值分析对比，以利于电路的最终工程实现和优化。 确定信息类型和表述特点 1.3.2　分析模型选择与典型运用分析 1．数字信息处理与二极管的开关运用 分析步骤： 选定元器件模型 确定分析手段 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 已知： 表1-3-2 图1-3-6对应的电位情况与相应信息 对应信息表述 A B C 0 0 0 0 1 1 1 0 1 1 1 1 代表信息1、0的电位可以采用有一定误差的高、低电位来表述，即二极管可以采用直折线模型2。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 结果： 表1-3-2 图1-3-6对应的电位情况与相应信息 代表信息1的电位在4.4V～5V左右；代表信息0的电位在0V左右，即选用的元器件模型没有影响信息的表述，能说明问题。 直折线模型计算 0 0 0 0 5 4.4 5 0 4.4 5 5 4.4 a b VD(on) D + - 2．电位平移电路目标与二极管运用 确定电路： 输入与输出相差一直流电压 可依据二极管的直折线模型2----完成电路 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 已知： 简单分析： 依据二极管的直折线模型2 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 电路： 依据高等数学的泰勒级数，即 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 精确分析： 其中， 只与输入直流有关，可由下图来计算 近似分析： 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 其中， 是在直流基础上，因输入交 近似分析： 交流变化引起的。可由二极管特定区域小信号模型来计算。 最终结果： 1.4　半导体非线性电路的近似分析与电路系统设计的关系 1 根据系统数学要求----构造电路模块结构----进行系统仿真 上述步骤应反复进行，已完成低成本、高质量的电路设计，其中仿真工具的使用是必需的。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 2 考虑各电路模块误差对系统结构影响----进行行为级仿真 3 完成各电路模块的具体电路构造----进行电路级仿真 4 对电路板布线----进行PCB版仿真设计 1.5　低频电子电路的学习 分析方法的选取往往与电路目标和分析误差要求有直 接的关系，同时单元电路的技术分析又涉及信号与系 统等课程的内容。 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 注意掌握各种功能电路的基本原理及分析方法，注重 养成工程现实和理想相结合的观察问题习惯。以便理 解各种实用的电路构成方法和原则，以及电路的组合 和繁衍改进过程。 注意培养自己以系统的观点来理解功能单元电路的构 成，以及元器件与系统需求之间的关系，从而初步建 立用系统的观点来思考问题、解决问题的基本技巧和 思路。 * 需两个动画 * * * * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 * 加动画 4. 漂移运动 内电场有利于少子运动—漂移。 少子的运动与多子运动方向相反 N型 P型 阻挡层 内电场 VB0 5. 扩散与漂移的动态平衡 扩散运动使空间电荷区增大，内电场则逐渐增强。 随着内电场的增强，扩散电流逐渐减小；漂移运动逐渐增加。 当扩散电流与漂移电流相等时，PN结总的电流等于零，空间电荷区的宽度达到稳定。即扩散运动与漂移运动达到动态平衡。 阻止多子扩散 出现内建电场 开始因浓度差 产生空间电荷区 引起多子扩散 利于少子漂移 最终达动态平衡 注意： PN 结处于动态平衡时，扩散电流与漂移电流相抵消，通过 PN 结的电流为零。 PN 结形成的物理过程 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 PN 结的载流子分布 第 1 章　半导体基础元件与非线性电路 穿越能力 载流子扩散—漂移---动态平衡------载流子分布见图（c） 载流子扩散导致同层电