Q_LGJK018-2017多晶硅靶材用多晶硅锭.pdf

Q/370282LGJK 青岛蓝光晶科新材料有限公司企业标准 Q/370282LGJK 018—2017 多晶硅靶材用多晶硅锭 Polycrystalline silicon ingot for polysilicon targets 2017 - 01 - 01 发布 2017 - 01 - 01 实施 青岛蓝光晶科新材料有限公司 发 布 Q/370282LGJK 018—2017 目 次 前言 II 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 要求 1 4.1 产品分类 1 4.2 技术要求 2 4.2.1 外观指标 2 4.2.2 切割指标 2 4.2.3 性能指标 2 4.2.4 成分指标 2 5 测试方法 2 6 检验规则 2 6.1 检验和验收 3 6.2 组批 3 6.3 检验项目及取样 3 6.4 检验结果的判定 3 7 包装、标志、运输及贮存 3 7.1 包装 3 7.2 标志 3 7.3 运输 3 7.4 贮存 3 8 质量证明书 3 9 订货单内容 4 I Q/370282LGJK 018—2017 前 言 本标准由青岛蓝光晶科新材料有限公司科创中心提出并归口。 本标准起草单位：青岛蓝光晶科新材料有限公司。 本标准主要起草人：王峰、姚玉杰、张建帅。 II Q/370282LGJK 018—2017 多晶硅靶材用多晶硅锭 1 范围 本标准规定了大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司的多晶硅靶材用多晶硅锭的产品分类、技 术要求、测试方法、检验规则、包装、标志、运输及贮存、质量证明书、订货单内容。 本标准适用于大工(青岛)新能源材料技术研究院有限公司的适用于多晶硅靶材生产的多晶硅锭。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法 第4部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原子 发射光谱法 GB/T 24582-2009 酸浸取- 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 3 术语和定义 3.1 靶材 target 高速荷能粒子轰击的目标材料 3.2 多晶硅 polycrystalline silicon 单质硅的一种形态。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料作用。具有半导 体性质，是极为重要的优良半导体材料。 4 要求 4.1 产品分类 4.1.1 产品按成分指标进行分类，分为3级。 4.1.2 牌号 多晶硅靶材用多晶硅锭的牌号表示为： Psi—□—□—□