Q_LGJK023-2017多晶硅提纯（MR）小方锭.pdf

Q/370282LGJK 青岛蓝光晶科新材料有限公司企业标准 Q/370282LGJK 023—2017 多晶硅提纯（MR）小方锭 Polysilicon purification (MR) small square ingot 2017 - 03 - 01 发布 2017 - 03 - 15 实施 青岛蓝光晶科新材料有限公司 发 布 Q/370282LGJK 023—2017 目 次 前言 II 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 要求 1 4.1 产品分类 1 4.2 供货状态 2 4.3 牌号 2 4.4 技术要求 2 4.4.1 等级 2 4.4.2 化学成分 2 4.4.3 外观指标 2 4.4.4 导电类型 3 5 测试方法 3 6 检验规则 3 6.1 检验和验收 3 6.2 组批 3 6.3 检验项目及取样 3 6.4 检验结果的判定 3 7 标志、包装、运输、贮存 4 7.1 标志 4 7.2 包装 4 7.3 运输 4 7.4 贮存 4 7.5 质量证明书 4 8 订货单内容 5 I Q/370282LGJK 023—2017 前 言 本标准由青岛蓝光晶科新材料有限公司科创中心提出并归口。 本标准起草单位：青岛蓝光晶科新材料有限公司。 本标准主要起草人：王峰、姚玉杰、张建帅、张复明。 II Q/370282LGJK 023—2017 多晶硅提纯（MR）小方锭 1 范围 本标准规定了多晶硅提纯（MR ）小方锭的要求、试验方法、检验规则和标志、包装、运输、贮存 及订货单 （或合同）内容。 本标准适用于多晶硅提纯工艺生产出的小方锭。 多晶硅提纯小方锭采用高效多晶硅锭边皮、掺P 多晶硅料、P 型单晶锅底料、颗粒料等为原料。 2 规范性引用文件 下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅所注日期的版本适用于本文 件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。 GB/T 1551-2009 硅单晶电阻率测定方法 Q/370282NTI 049-2017 IRB-50 型红外晶锭探伤仪检测规程 GB/T 26068-2010 硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法 GB/T 14849.4-2014 工业硅化学分析方法 第4 部分：杂质元素含量的测定 电感耦合等离子体原 子发射光谱法 GB/T 24582-2009 酸浸取- 电感耦合等离子质谱仪测定多晶硅表面金属杂质 GB/T 6093-2001 几何量技术规范（GPS ）长度标准 量块 GB/T 1550-1997 非本征半导体材料导电类型测试方法 3 术语和定义 3.1 多晶硅 polycrystalline silicon 单质硅的一种形态。高温熔融状态下，具有较大的化学活泼性，能与几乎任何材料