半导体物理学Chapter 4..pptVIP

4.5 玻尔兹曼方程 以上根据载流子在电场中的加速及它们的散射，求出了一定电场下载流子的平均漂移速度，以及电导率、迁移率与散射概率P或平均自由时间的关系。 但这种分析受到两方面的限制： 1）计算中把tau看作一个常数，没有考虑载流子速度的统计分布； 2）计算中假设散射后的速度完全无规则，即散射后，载流子向各个方向运动的概率相等。 下面仍讨论各向同性的散射。 1 玻尔兹曼方程 当无外场作用且温度均匀时，半导体处于热平衡状态。根据费米分布，能级E（k）被电子占据的概率为： 非简并半导体： 当有外场作用或存在温度梯度时，系统处于非平衡态，电子分布函数就发生变化。 以f（k,r,t）表示处于非平衡态时的分布函数，定义波矢在k—(k＋dk)，位矢在r—(r+dr)之间的相空间体积元dkdr中t时刻的电子数为： 下面求f(k,r,t)满足的方程。 因此，体积元dkdr中电子数的增长率为： 显然，电子数的改变主要是由于分布函数随时间的变化引起的。 原因有： 1）漂移变化 由于外场作用，改变了电子的波矢k和位矢r，使得在k、r处的分布发生改变，这种改变是连续的。 2）散射作用 电子在运动过程中不断遭到散射，使电子的波矢k发生突变，也使分布发生改变。 由于 有 稳态时，f不随时间变化， 玻尔兹曼方程 如果没有温度梯度，f不随r变化， 2 驰豫时间近似 假设电子只有在时间tau内是自由运动的，散射后又恢复到无规则的分布，即分布函数又恢复到f0。在外加电场作用下，电子k状态不断地改变，经过tau时间， 如果稳态时分布函数f与f0偏离不大， 当tau很小时， 上式表示一种驰豫过程，如果外场被取消，由于散射作用，可以使分布函数逐渐恢复到平衡时的分布函数f0。 上式解为： 因而，驰豫时间近似下的稳态玻尔兹曼方程为 3 弱电场近似下玻尔兹曼方程的解 外加电场强度为E时 玻尔兹曼方程为 弱电场情况下，分布函数改变不大，用 表示对于平衡状态下的偏离 因为 是由于电场引起的，弱电场情况下， 其中利用了 设n为电子浓度，如不计及电子速度的统计分布，则电流密度由 决定。实际上电子速度各不相同，有一定的统计分布，记入速度的统计分布，设有n－n＋dn个电子以速度v运动，则电流密度应是以下的积分： dn为单位体积中波矢在k－(k+dk)间的电子数， 由于f0只与E有关，因之是kx，ky，kz的偶函数，而v在k空间是奇函数，所以 这说明平衡下电流等于零，电流密度J只是由分布函数对平衡态的偏离 所决定。 上式可写为： 其中 4 球形等能面半导体的电导率 即 对各向同性的散射，tau与方向无关，仅是能量E的函数， 是对称的，所以i和j不相等时，由于vi和vj是奇函数，积分等于零。因此，可得 如等能面为球面， 也是球对称的，所以 式中电导率 对非简并半导体 所以 电流密度与电场关系有： 式中 因而 容易证明 有 其中 由 只有长声学波散射时， 代入之前结果，有 其中平均自由程 就是说，长声学波散射时， 半导体物理学 理学院物理科学与技术系 第四章 半导体的导电性 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 4.2 载流子的散射 4.3 迁移率与杂质浓度和温度的关系 4.4 电阻率及其与杂质浓度和温度的关系 4.5 玻尔兹曼方程 半导体与金属的区别 本章讨论载流子的运动规律，如外电场作用下的漂移运动。研究迁移率、电导率、电阻率随杂质浓度和温度变化的规律。 4.1 载流子的漂移运动 迁移率 1 欧姆定律的微分形式 2 漂移速度和迁移率 3 半导体的电导率和迁移率 N型 P型 本征半导体 1 载流子散射的概念 载流子热运动 4.2 载流子的散射 2 半导体的主要散射机构 （1）电离杂质的散射 （2）晶格振动的散射 格波频率与波矢的关系 一定温度下，晶格中原子都在其平衡位置附近作微振动。分析证明，晶格中原子的振动都是由若干个不同的基本波动按照波的叠加原理组合而成，这些基本波动称为格波。 常用格波波数矢量q表示格波的波长及其传播方向。 一个原子每一个q具有三个格波，半导体原胞中大多含两个原子，对应每一个q就有6个格波。频率低的三支称为声学波，频率高的三支称为光学波。 声学波 声学波和光学波 从原子振动方式来看，无论声学波或光学波，原子位移方向和波传播方向之间的关系都是一个纵波两个横波。 2.对于声学波，原胞中两个原子沿同一方向振动，长波的声学波代