北邮模电第7章_脉冲波形的产生与处理电路..pptVIP

第七章：脉冲波形的产生与处理电路 邓 钢 Gdeng@263.net 内容提要 内容提要 脉冲波形的定义 脉冲波形参数 若干脉冲波形发生电路 主要内容如下： 要点 要点 在脉冲波形产生与处理电路中，各种半导体器件大都工作在大信号状态，属于非线性应用 电路的分析方法和内容与放大电路明显不同，讨论的重点是电路的瞬态特性：周期、频率、电压等 常见的脉冲波形 第一节：波形的基础知识 都是时间函数 实际矩形脉冲波形及其参数 脉冲幅度 平均脉宽 重复周期 及重复频率 上升时间 下降时间 占空比 顶部倾斜 第一节：波形的基础知识 理想矩形脉冲频谱分析的意义 前后沿(跳变处)变化快，集中了信号的高频分量；而平顶部分变化缓慢，集中了信号的低频成分 可通过将这样的脉冲信号加至放大电路的输入端，并观察输出电压波形的上升沿、下降沿以及波形的顶部来分析放大电路的上、下截止频率 可见放大电路的频率响应与时域响应有密切的对应关系 第一节：波形的基础知识 二极管的开关特性(一) 第二节：半导体器件的开关特性 时， 由 跳至 ：存储时间 ：下降时间 ：反向恢复时间 二极管的开关特性(二) 时的电荷存储效应 后PN结中存储电荷的变化 经过 时间后PN结中存储电荷的变化 第二节：半导体器件的开关特性 二极管的开关特性(三) 二极管反向恢复过程实质上是由电荷存储效应引起的，反向恢复时间就是存储电荷消失所需的时间 影响 的因素： 管子本身的性能 正向电流 与反向电流 的大小 第二节：半导体器件的开关特性 二极管的开关特性(四) 二极管由截止转为正向导通所需时间称为开通时间 导通过程简述 二极管的开通时间比 短得多，可以忽略不计 第二节：半导体器件的开关特性 晶体管的开关特性(一) 晶体管截止时的说明 晶体管进入饱和区后的说明 延迟时间 上升时间 开通时间 存储时间 下降时间 关断时间 饱和深度 第二节：半导体器件的开关特性 晶体管的开关特性(二) 延迟时间 晶体管处于截止状态时，发射结反偏，势垒区较厚，扩散电流为0。当输入矩形脉冲信号跳变至其最大值时，势垒逐渐降低，扩散电流开始形成，这个过程所需的时间为延迟时间 上升时间 在矩形脉冲电压的作用下，扩散电流逐渐增大直至管子饱和。从而可以定义出上升时间 第二节：半导体器件的开关特性 晶体管的开关特性(三) 存储时间 晶体管工作于饱和状态时，集电极电流达到饱和值。由于集电结加有正向电荷使集电区也有电子注入至基区，使基区少子增多，形成比工作于放大区多的电荷，称为多余的电荷 当输入信号跳变至最小值时，存储电荷消失需要一定的时间加长。一开始集电极电流仍维持不变，晶体管还处于饱和状态，经过存储时间后，多余的电荷全部消失，晶体管开始脱离饱和，进入放大状态。饱和越深，存储时间越长 第二节：半导体器件的开关特性 晶体管的开关特性(四) 下降时间 当基区多余的电荷全部消失后，基区电荷继续消散，这时集电极电流开始减小，输出电压开始上升，直至集电极电流为0，晶体管截止。从而可以定义出下降时间 一般关断时间 大于开通时间 第二节：半导体器件的开关特性 基本的逻辑运算(门) 第三节：门电路(简介) 在脉冲和数字电路中，其输入输出量一般用高、低电平来表示，高、低电平代表两个不同的状态，可用二元常量表示 在数字电路中一般将高、低电平分别称为逻辑1和逻辑0，而在模拟电路中习惯上用H、L表示 基本的逻辑运算有与、或、非三种，实现这三种运算的电路分别称为与门、或门和非门 输入 输出 非运算和非门 当输入为低电平时，输出为高电平；当输入为高电平时，输出为低电平 第三节：门电路(简介) TTL与非门的外特性(一) 电路处于截止状态时的输出电平，具有典型值及最小值 输出高电平 输出低电平 电路处于导通状态时的输出电平，具有典型值及最大值 晶体管-晶体管逻辑门，是指输入端和输出端都用晶体管的门电路，简称TTL电路 第三节：门电路(简介) TTL与非门的外特性(二) 当电路输出端接额定负载时，使电路输出端处于高电平状态所允许的最大输入电压 关门电平 开门电平与关门电平反映了电路的抗干扰能力 当电路输出端接额定负载时，使电路输出端处于低电平状态所允许的最小输入电压 开门电平 第三节：门电路(简介) 多谐振荡器综述 第六节：多谐振荡器 多谐振荡器是能产生矩形脉冲波(或方波)的自激振荡电路。它没有稳态，只有两个暂稳态，不需外加触发信号便能在两个暂稳态之间交替转换，输出连续的矩形脉冲。常作为脉冲信号源 不同电路形式多谐振荡器的共同之处： 开关器件：用于产生高、低电平 反馈网络：将输出电压反馈给开关元件 延迟环节：可以获得所需的振荡频率 由门电路组成的多谐振荡器原理(一) 第六节：多谐振荡器 时刻的初始值