第1章 习题解答..ppt

第一章 第一章常用半导体器件 2011年9月 N 型半导体：在本征半导体中掺入五价元素(如磷)构成的杂质半导体。 P 型半导体：在本征半导体中掺入三价元素(如硼)构成的杂质半导体。 三极管：由两个PN 结背靠背组成 结构特点 符号 第一章 常用半导体器件 自 测 题 一、判断下列说法是否正确,用“√”和“×”表示判断结果填入空内 （1）在N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（ ） （2）因为N 型半导体的多子是自由电子,所以它带负电. （ ） （3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（ ） （4）处于放大状态的晶体管，集电极电流是多子漂移运动形成的。（ ） （5）结型场效应管外加的栅-源电压应使栅-源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。（ ） （6）若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零，则其输入电阻会明显变小。（ ） 二、选择正确答案填入空内。 （1）PN结加正向电压时，空间电荷区将 。 A. 变窄 B. 基本不变 C. 变宽 （2）设二极管的端电压为U，则二极管的电流方程是 。 A. ISeU B. C. （3）稳压管的稳压区是其工作在 。 A. 正向导通 B.反向截止 C.反向击穿 （4）当晶体管工作在放大区时,发射结电压和集电结电压应为 . A. 前者反偏、后者也反偏 B. 前者正偏、后者反偏 C. 前者正偏、后者也正偏 （5）UGS＝0V时，能够工作在恒流区的场效应管有 。 A. 结型管 B. 增强型MOS管 C. 耗尽型MOS管 三、写出图T1.3所示各电路的输出电压值，设二极管导通电压UD＝0.7V。 图T1.3 四、已知稳压管的稳压值UZ＝6V，稳定电流的最小值IZmin＝5mA。求图T1.4所示电路中UO1和UO2各为多少伏。 图T1.4 五、电路如图T1.5所示，VCC＝15V，β＝100，UBE＝0.7V试问：1）Rb＝50kΩ时，uO＝？（2）若T临界饱和，则Rb≈？ 解：（1）Rb＝50kΩ时，基极电流、集电极电流和管压降分别为： 例：某晶体管的输出特性曲线如图所示，其集电极最大耗散功率PCM＝200mW，试画出它的过损耗区。 Uce(V) 10 20 30 40 iC (mA) 20 10 6.67 5 习 题 1.1 选择合适答案填入空内。 （1）在本征半导体中加入 元素可形成N型半导体 ，加入 元素可形成P型半导体。 A. 五价 B. 四价 C. 三价 （2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将 。 A. 增大 B. 不变 C. 减小 （3）工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为 。 A. 83 B. 91 C. 100 （4）当场效应管的漏极直流电流ID从2mA变为4mA时，它的低频跨导gm将 。 A.增大 B.不变 C.减小 例： 能否将1.5V的干电池以正向接法接到二极管两端？为什么？ 解：不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.5V时，管子会因电流过大而烧坏。 1.3 电路如图P1.3所示，已知ui＝5sinωt (V)，二极管导通电压UD＝0.7V。试画出ui与uO的波形，并标出幅值。 Ui3.7V时， D1导通，D2截止，U0=3V+0.7V=3.7V 1.4 电路如图P1.4所示，二极管导通电压UD＝0.7V，常温下UT≈26mV，电容C对交流信号可视为短路；ui为正弦波，有效值为10mV。 试问二极管中流过的交流电流有效值为多少？ 解：动态电流有效值 Id＝Ui/rD 其动态电阻 rD≈UT/ID 1.5 现有两只稳压管，它们的稳定电压分别为6V和8V，正向导通电压