第二部分 光电材料的光致原理..pptVIP

第二部分 光电材料的光致原理 主要内容 2.1 光致效应 2.2 光电效应 2.2.1 光电导效应 2.2.2 光生伏特效应 2.2.3 光电子发射效应 2.2.4 光磁电效应 2.2.5 光子牵引效应 2.3 热电效应 2.3.1 温差电效应 2.3.2 测辐射热计效应 2.3.3 热释电效应 2.1 光致效应 分为光电效应和热电效应 光电效应分为：光电导效应、光生伏特效应、光电子发射效应、光磁电效应以及光子牵引效应 热电效应分为：热电偶效应、测辐射热计效应以及热释电效应 2.2 光电效应 当光照射到物体上使物体发射电子、或电导率发生变化、或产生光电动势等，这种因光照而引起物体电学特性的改变统称为光电效应。 光电效应分为两大类： 内外电效应，物质受到光照后所产生的光电子只在物质内部运动而不会逸出物质外部的现象，这种现象多发生于半导体内，内光电效应又可分为光电导效应和光生伏特效应。 外光电效应，物质受到光照后向外发射电子的现象，光电子发射效应就属于这一类，多发生于金属和金属氧化物。 2.2.1 光电导效应 （自由）载流子：导带中的电子和价带中的空穴 热平衡载流子：热激发和复合作用 非平衡载流子或光生载流子：光辐射作用 光电导效应是指半导体受光照射后，其内部产生光生载流子，使半导体中载流子数显著增加而电阻减小的现象。 分为本征光电导效应和非本征（杂质）光电导效应 2.2.1 光电导效应 对于本征半导体： 无光照时，暗电导率为： ?0=e(n0?n+p0?p) n0、p0：电子和空穴的浓度，?n、?p：电子和空穴的迁移率 ?n=?nL/V ?p =?pL/V ?n、?p：电子和空穴的漂移速率 则暗电阻R0=L/A?0，则暗电导g0= A?0/L 2.2.1 光电导效应 有光照时，在原来无光照的基础上增加?n和?p ，故： ??=e(?n?n+ ?p?p) 则电导增量（半导体的光电导）为： ?g= A??/L 产生光电导效应的条件： h??Eg 或 hc/??Eg ?频率，?波长，c光速，h普朗克常数，Eg禁带宽度 2.2.1 光电导效应 对于非本征光电导效应，它是入射光辐射激发非本征半导体中杂质能级上的束缚态电子或空穴而产生光生载流子，使电导率发生变化。存在一个多数载流子的问题。 则??n=e(?n?n)(n型) ， ??p=e (?p?p)(p型) 则?gn= A??n/L(n型) ，?gp= A??p/L (p型) hc/??Ei 杂质电离能Ei远小于Eg 2.2.1 光电导效应的弛豫现象 就是光辐射入射到本征或非本征半导体材料上，开始时随着时间的增加光生载流子逐渐增多，经过一定时间后，载流子浓度才逐渐趋于一稳定值。此后，若突然遮断入射的光辐射，光生载流子并不立即下降到照射前的水平，而是经过一定时间才趋于照射前的水平，这一现象就叫光电导效应的弛豫现象。 2.2.1 光电导效应的弛豫现象 建立稳定的光生载流子浓度或停止辐射后下降到入射前的水平所需要的时间叫光电导的弛豫时间或时间常数。 2.2.1 光电导效应的灵敏度 通常指在一定条件下，单位照度所引起的光电流，表示一定光强下光电流的强弱，可以用光电增益G表示。 G=??/tL 其中tL =L2/?U 即 G=???U/L2 其中l是光电导体两极间距，?为迁移率，U为外加电源电压，?为光生载流子寿命，?为量子产额。 2.2.2 光生伏特效应 光生伏特效应是指光照射在半导体PN结或金属-半导体接触上时，会在PN结或金属-半导体接触的两侧产生光电动势的现象。发生在不同半导体形成的PN结、PIN结、金属和半导体的肖特基势垒以及异质势垒等。 内建电场的理解：以为例，扩散，漂移 零偏状态，正向偏置，反向偏置 2.2.2 光生伏特效应 光生伏特效应的产生条件：两个 光电流的产生过程 光电流Ip 正向电压产生的电流I+ 总电流I= I+-Ip 2.2.3 光电子发射效应 在频率为?的光辐射作用下，处于真空或其他介质中的物质吸收光子能量后，其动能增加，在向表面运动的电子中有一部分电子能量较大，除在途中由于与晶格或其他电子碰撞而损失部分能量外，尚有足够的能量足以克服物质表面的逸出功W?，穿出表面进入真空或其他介质中，这一现象就叫光电子发射效应。具有光电子发射效应的材料叫光电子