第2章 光电探测-2 2013.4.12..ppt

雪崩光电二极管输出电流I和反偏压U的关系示于图。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。 光电二极管输出电流I和反向偏压U的关系 在偏置电压较低时的A点以左，不发生雪崩过程；随着偏压的逐渐升高，倍增电流逐渐增加 从B点到c点增加很快，属于雪崩倍增区；偏压再继续增大，将发生雪崩击穿；同时噪声增大。 如图中c点以右的区域，也显著增加。最佳的偏压工作区是c点以左，否则进入雪崩击穿区烧坏管子。 由于击穿电压会随温度漂移，必须根据环境温度变化相应调整工作电压。 雪崩光电二极管的电流增益用倍增系数或雪崩增益M表示，它定义为: 倍增系数M与PN结所加的反向偏压有关。 一般在100～200V。也有的管子工作电压更高。 i为输出电流，i0为倍增前的电流. 雪崩光电二极管具有电流增益大，灵敏度高，频率响应快，带宽可达100GHz。是目前响应最快的一种光敏二极管。 不需要后续庞大的放大电路等特点。因此它在微弱辐射信号的探测方向被广泛地应用。 在设计雪崩光敏二极管时，要保证载流子在整个光敏区的均匀倍增，这就需要选择无缺陷的材料，必须保持更高的工艺和保证结面的平整。 其缺点是工艺要求高，稳定性差，受温度影响大。 * 线性区 当入射光功率在1nw到几个μw时，倍增电流与入射光具有较好的线性。 当入射光功率过大时，倍