半导体二极管及其基本电路(0002).ppt

1. 最大整流电流IF：二极管长期连续工作时，允许通过二极管 的最大整流电流的平均值。 2. 反向击穿电压VBR：二极管反向电流急剧增加时对应的反向电 压值称为反向击穿电压VBR。 最高反向工作电压VRM：为安全计，在实际工作时，最大反向 工作电压VRM一般为反向击穿电压VBR的一半。 3. 反向电流IR：管子在未击穿时的反向电流，其值愈小，管子的 单向导电性越好。反向电流随温度升高而增加。 三、二极管的主要参数 4. 极间电容Cd：极间电容是反映二极管中PN结电容效应的参数。 Cd=CD+CB 在高频或开关状态下,必须考虑极间电容的影响。 5. 反向恢复时间 三、二极管的主要参数 3.4 二极管基本电路及其分析方法 一、简单二极管电路的图解分析方法 图解法分析的前提是已知二极管的V-I特性曲线 → → vD和iD 恒压降模型 理想模型压降 特点：正偏时，管压降为0V；反偏时，电阻无穷大，电流为0。 2. 恒压降模型（iD ≥ 1mA）应用广 特点：二极管导通后，其管压降是恒定的，不随电流而变， 典型 值为0.7V。 二、二极管正向V-I特性模型 1. 理想模型（电源电压 管压降） 3. 折线模型（恒压降模型的修正） 折线模型 特点：管压降不恒定，随iD的增加而增加，模型用一个电池和一个电阻来近似。电池的电压选定为二极管的门坎电压Vth，约为0.5V。至于rD的值，可以这样来确定，即当二极管的导通电流为1mA时，管压降为0.7V，于是rD的值可计算如下： 4. 小信号模型（指数模型） 二极管的V-I 特性表达式: 取iD对vD的微分，可得微变电导 (当T=300K时) 二极管外加正向电压时，将有一直流电流，曲线上反映该电压和电流的点称为Q点（静态工作点），若在Q点的基础上外加微小的变化量，则可以用以Q点为切点的直线来近似微小变化的曲线，即将二极管等效为一个动态电阻rd（称二极管微变等效电路）。 二、模型分析法应用举例 理想模型： 恒压降模型： 例：电路如图所示，R＝10K，当VDD=10V和1V时，分别求电路的ID和VD值。分别用理想模型、恒压降模型和折线模型。 解：⑴ VDD=10V １.二极管静态工作点分析 折线模型: ⑵ VDD=1V 理想模型： 恒压降模型： 折线模型: 结论：电源电压管压降时，恒压降模型能得出较合理的 结果；电源电压较小时，折线模型较为合理。 模拟电子——半导体二极管及其基本电路 主讲：刘童娜 3.1 半导体基本知识 3.2 PN结的形成及特性 3.3 半导体二极管 3.4 二极管基本电路及其分析方法 3.5 特殊二极管 3.1 半导体的基本知识 一、 半导体材料 根据物体导电能力(电阻率)的不同，来划分导体、 绝缘体和半导体。 元素半导体：硅（Si）和锗（Ge） 化合物半导体：砷化镓（GaAs）等。 半导体的导电能力介于导体、绝缘体之间，其导电性能还有其独特的特点。常用的半导体材料有： 导体（低价元素）——半导体——绝缘体（高价元素） 金、银、铜、铁等——硅、锗、镓等——橡胶、惰性气体等 典型的半导体是硅Si和锗Ge，它们都是4价元素。 硅和锗最外层轨道上的四个电子称为价电子。 硅原子 Si 锗原子 Ge +4 二、半导体共价键结构（硅） (a) 硅晶体的空间排列 价电子分别与周围的四个原子的价电子形成共价键。共价键中的价电子为这些原子所共有，并为它们所束缚，在空间形成排列有序的晶体。 这种结构的立体和平面示意图见 图2-1 图2-1 硅原子空间排列及共价键结构平面示意图 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 +4 (b) 共价键结构平面示意图 1.本征半导体—完全纯净、结构完整的半导体晶体（化学成分纯净）。 三、本征半导体、空穴及其导电作用 制造半导体器件的半导体材料的纯度要达到99.9999999%， 常称为“九个9”。 在绝对温度T=0K时，所有的价电子都被共价键紧紧束缚在共价键中，不会成为自由电子，因此本征半导体的导电能力很弱，接近绝缘体。 本征半导体的共价键结构 束缚电子 当温度升高或受到光的照射时，束缚电子能量增高，有的电子可以挣脱原子核的束缚，而参与导电，成为自由电子。 自由电子产生的同时，在其原来的共价键中就出现了一个空位，称为空穴。空穴是半导体区别于导体的一个重