氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响!-物理学报.PDFVIP

第 卷 第 期 年 月 物 理 学 报 $) ! #%%1 ! ， ， ， GW= 0$) VW 0 ! X/4E/YZ #%%1 （ ） !%%%(#1%6#%%16$) %! 6%$’$%$ R:SR .-T+U:R +UVU:R #%%1 :?,4 0 .?Z7 0 +WB 0 氢稀释对高速生长纳米晶硅薄膜晶化特性的影响! ） ） ） ） ） ）） ） ） ! ! ! ! ! ! # # # 邱胜桦 陈城钊 刘翠青 吴燕丹 李 平 林璇英 黄 余楚迎 !）（韩山师范学院物理与电子工程系，潮州 $#!%!） # ）（汕头大学物理系，汕头 $!$%’( ） （ 年 月 日收到； 年 月 日收到修改稿） #%%) !% #%%) * ( 以 与 为气源，采用射频等离子体增强化学气相沉积技术，在较高的压强（ ）下，研究氢稀释率对 +,- - #(% ./ # 纳米晶硅薄膜的生长速率和晶化特性的影响0 实验表明，薄膜的晶化率，晶粒尺寸随着氢稀释率的提高而增加，当 氢稀释率为11 2 ，薄膜的晶化率接近*% 2 0 而沉积速率却随着氢稀释率的减小而增加，当氢稀释率从11 2 减小到 1$ 2 时，薄膜的沉积速率由% 3( 456 7 增加至% 3) 456 7 0 关键词：纳米晶硅薄膜，氢稀释，晶化率，硅烷 ： ， ， ， !## *)(% *(’%8 ’*%9 )!% % 3$ N6 7），这样低的沉积速率影响了生产效率，因而 难以形成大规模生产，不适合推广应用 为了提高 !3 引 言 0 沉积速率，必须加大射频辉光放电的激励功率，然 近年来在硅基光电薄膜制备中常用的方法有射 而，大的激励功率可能造成高能量的离子对薄膜生 频等离子体增强化学气相淀积法（ ）、甚高 长表面的轰击，影响材料的质量 为了解决这一矛 F8.;:GH 0 频等离子增强化学气相沉积（ ）、电子回 盾，我们采用高的反应气压（ ），匹配比较高 G-8.;:GH O !(% ./ 旋共振化学气相沉积（