纳米探针在超大规模集成电路可靠性和失效分析中的应用.pdfVIP

纳米探针在超大规模集成电路可靠性和失效分析中的应用.pdf

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contact which thetest the resistance.The impacts accuracy,isprobe existenceofcontactresistanceaffectsthe oftestresults. accuracy Duetothesmall the surface size(≈50nm)and Nano-probetip tip ofthe contactresistancewillbe oxidation layer Nano—probetip,the very dozenstoseveralthousandsofohms thecontact unstable,from range.If valueistoo wi11 the of resistance large(2000hm),itimpactaccuracy themeasurementresults. aseriesof the Through improvement measures,includingprobes chemical electricmethodtoremove cleaningprocedureimprovement,the surface wellasthe minimizethe probe oxide,as optimizationmethod,we contactresistancemeasurementandthetest ofthe during accuracy measurementresultsbecomemorestableand improved. greatly Words:Failure test Key Analysis,NanoProbe,Reliability ClassificationCode:TN407 5 第一章引言 第一节课题背景 集成电路一直沿着摩尔(Moore)定律(每3年芯片集成度增加4倍,特征 尺寸减小30%)高速发展。与国际半导体技术发展指南(ITRS)lloJ预计的一样 技术也即将开发成功并投入量产之中。然而,随着芯片特征尺寸的日益缩小, VLSI芯片结构的日益复杂,芯片制造的复杂性和难度也日益增大,影响芯片良 率和可靠性的缺陷也变得越来越微小而不容易发现。 2008丌RS Trendsv■Actualeand

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