《离子注入技术》课件.pptVIP

离子注入技术;本文结构：;1.引言; 大量实验证实,离子注入能使金属和合金的摩擦因素,耐磨性,抗氧化性,抗腐蚀性,耐疲劳性以及某些材料的超导性能,催化性能,光学性能等发生显著变化,能够大大提高材料的性能和使用寿命。离子注入在工业中应用能取得很好的效益,除延长工件的使用寿命外,还由于离子注入仅用较少量的合金元素,就可以得到较高的表面合金浓度,因而可以节约贵重金属。 离子注入早期研究的是对金属材料的磨擦和显微硬度的影响,后来转向对金属滑动性能的研究,其结果都成功地实现了工业应用。近30年来,在微处理机和计算机存储器的集成电路基片生产中，离子射入表面的离子注入已经是半导体材料（硅片）的一种标准掺杂方法。离子注入方法的可靠性、可控制性和重复性使得这项工艺成为半导体工业的支柱。近十几年来，离子注入在金属和半导体材料的研究和应用发展迅速并且已扩展到绝缘材料和聚合物方面。;2.离子注入技术的原理、 特点; (5)离子注入一般是在常温真空中进行,加工后的工件表面无形变,无氧化,能保持原有尺寸精度和表面粗糙度,特别适合于高精密部件的最后工序。 (6)可以在工件表面层形成压应力,减少表面裂纹。 (7)采用清洁的高真空和无毒的工艺和材料，处理温度低，待处理材料的整体性能不受影响。 (8)由于注入仅达表面区域，可节约昂贵材料或战略材料。;2.3 离子注入设备和方法;2. 氮注入机，只能产生气体束流（几乎只出氮)。主要用于工具的注入。其优点如下： a.操作维修简单。 b.束流高。 c.可以制成巨型的机器。 缺点是： a.束流均匀性一般较差（但通常可满足工具的处理）。 b.离子束组分的相对分量不稳定，且其能量和剂量也不能确定。 c.因为离子源一般靠近靶室，在处理过程中靶室压强较高，会使处理表面氧化。 d.处理复杂形状时要求工件翻转。;3. 等离子源注入机(PIII) PIII 装置（图3）不是由离子源中产生的离子束射向分离靶室中的工件上，而是离子源环绕着工件。其做法是在靶室中产生等离子体，因此等离子体是环绕着注入工件的。这样就没有了直射性的限制。其优点如下： a.简单，成本低。勿需产生和控制离子束，只需运行真空系统。 b.不需工件的转动和扫描。 c.垂直入射注入。 d.高束流覆盖整个表面，故可忽略强离子束扫描引起的局部受热问题。 缺点是： a.任何等离子体的不均匀性将引起不均匀注入。 b.离子能量受限制。 c.存在与靶室中所有离子均会注入，剂量和能量不易确定。 d.电流脉冲的效果尚无大量资料确证。;其它类型注入机 目前还研制出了金属蒸发真空电弧离子源（MEVVA），它是在注入元素组成的电极表面引燃电弧而产生离子束的，它解决了固体元素直接注入这一难题。 这个领域还在不断的发展中，必将会有许多新的仪器与设备涌现出来。;3. 离子注入技术的新发展及应用; 因此, PIII消除了CBII所存在缺点。同时又因为离子注入过程是包含负高压脉冲间隔,工件表面与等离子之间的鞘层电位形成的低能离子沉积和负高压脉冲持续期间的高能离子注入的过程的混合,对某些材料的改性和沉积成膜具有CBII处理达不倒的改性效果。因此PIII 技术因其设备结构简单、价格较低和独特的优点而受到工业界的密切观注。 3.1等离子体基离子注入技术特点 为了克服用于金属材料表面改性的离子注人技术存在的视线加工性，改性层浅，设备造价较高及工艺费用昂贵等缺点，1987年J.R.Conrad等发明了“等离子体源离子注人”(PSII)技术。PSII是一种从四面八方对工件进行离子注人的全新技术。此后，1988年J.Tendys等建立了“等离子体湮没离子注人”(PIII)技术。PIII与PSII的主要区别除了所用的等离子体类型及其特性不同以外，PIII还将离子注入与热扩散相结合，利用离子轰击造成的基片升温促进注人粒子的向内扩散，从而增加离子注人改性层的深度。; PSII和PIII统称为等离子体基离子注人(PBII)。PBII技术有下列优点: (1)PBII是非视线加工技术。 (2)PBII不需要专门的离子源，而且由于它的非视线加工特性，省略了束线扫描和样品台转动等系统，使设备简单化。 (3)PBII降低了工件的溅射，没有保持剂量的问题。 (4)可批量处理和处理大尺寸工件，具有更大的产业化发展潜力。;3.2 等离子体基离子注入技术存在的问题及解决对策;1低能化 近几年来，为克服常规离子注入改性层浅的缺点，低能离子注人技术迅速发展。低能离子注人是采用能量在1keV左右的离子注人