碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范.PDFVIP

CASA 第三代半导体产业技术创新战略联盟标准 T/CASA 001-20 18 碳化硅肖特基势垒二极管通用技术规范 General Specification for Silicon Carbide Schottky Barrier Diodes 版本：V01.00 2018-09-21 发布 第三代半导体产业技术创新战略联盟发布 T/CASA 001-2018 目录 前言 I 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 3.1 一般术语 1 3.2 额定值和特性的术语：电压2 3.3 额定值和特性的术语：电流3 3.4 额定值和特性的术语：耗散功率5 3.5 额定值和特性的术语:其他特性6 4 文字符号9 4.1 概述9 4.2 补充的通用下标9 4.2.1 电流、电压和功率9 4.2.2 电参数9 4.3 文字符号表9 4.3.1 电压（参见图4 、图5 ）9 4.3.2 电流（参见图6) 10 4.3.3 功率 11 4.3.4 开关 12 5 基本额定值和特性 12 5.1 概述 12 5.1.1 额定方法 12 5.1.2 推荐温度 12 5.2 额定条件 12 5.2.1 环境额定的碳化硅肖特基势垒二极管 12 5.2.2 管壳额定的碳化硅肖特基势垒二极管 13 5.2.3 环境温度或热沉温度或壳温或结温（T 或T 或T 或T ） 13 a s c vj 5.3 电压和电流的额定值（极限值） 13 5.3.1 反向不重复峰值电压（V ) 13 RSM 5.3.2 反向重复峰值电压（V ） 13 RRM 5.3.3 反向工作峰值电压（V ） 13 RWM 5.3.4 反向直流电压（V ）（适用时） 13