电力电子课后作业..docVIP

填空题 电力电子技术包括 电力电子器件 、电力电子电路 和 控制技术 3个部分。 现代电力电子器件分为 不可控型器件 、半控型器件 和 全控型器件 三类。 电力二极管的主要类型有 普通二极管 、快恢复二极管 和 肖特基二极管 三种。 晶闸管的外形大致有 塑封形 、平板型 和 螺栓形 三种。 晶闸管额定电流与有效值电流的关系 IT=1.57IT(AV)。 双向晶闸管的门极控制方式有两种：移向触发和 过零触发。 2.判断题 （ × ）1）普通晶闸管内部有两个PN结。 （ × ）2）普通晶闸管外部有3电极，分别是基极、发射极和集电极。 （ √ ）3）型号为KP50-7的半导体器件，是一额定电流为50A的普通晶闸管。 （ ×）4)只要让加在晶闸管两端的电压减小为零，晶闸管就会关断。 （ × ）5）只要给门极加上触发电压，晶闸管就导通。 （ ×）6）晶闸管加上阳极电压后，不给门极加触发电压，晶闸管就会导通。 （ × ）7）加在晶闸管门极上的触发电压，最高不得超过100V。 3.选择题 1）在型号KP100-10G中，数字10表示（ C ）。 A、额定电压为10V B、额定电流为10A C、额定电压为1000V D、额定电流为100A 2)晶闸管内部有（ C ）PN结。 A、1个 B、2个 C、3个 D、4个 3）晶闸管的3个引出电极分别是（ B ） A、阳极、阴极、栅极 B、阳极、阴极、门极 C、栅极、漏极、源极 D、发射极、基极、集电极 4）普通晶闸管的额定通态电流是用（ A ）表示。 A、流过晶闸管的平均电流 B、直流输出平均电流 C、整流输出电流有效值 D、交流有效值 5）当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在（ B ） A、导通状态 B、关断状态 C、饱和状态 D、不定 6）处于阻断状态的晶闸管，只有在阳极与阴极间加正向电压，且在门极与阴极间作（ C ）处理才能使其开通。 A、并联一电容 B、串联一电感 C、加正向触发电压 D、加反向触发电压 7）在晶闸管工作过程中，管子本身产生的管耗等于管子两端电压乘以（ A ） A、阳极电流 B、门极电流 C、阳极电流与门极电流之差 D、阳极电流与门极电流之和 填空题 典型的全控型器件主要有 门极可关断晶闸管 、电力晶体管 、电力场效应晶体管 和 绝缘栅双型晶体管四种。 某半导体器件的型号为KP50-7，其中KP表示该器件的名称为 反向阻断晶闸管，50表示 额定电流50A，7表示 额定电压700V。 GTO的门极控制增益β的表示方法：β=IATO|1-IGM|。 电力MOSFET的基本特性有 转移特性 、 开关特性 和 输出特性 三种。 2.选择题 1）功率晶体管（GTR）从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为（ B ）。 A、一次击穿 B、二次击穿 C、临界饱和 D、反向截至 2）电力场效应晶体管（电力MOSFET）是理想的（ A ）控制器件。 A、电压 B、电流 C、电阻 D、功率 3）在电力电子装置中，电力晶体管一般工作在（ D ）状态。 A、放大 B、截止 C、饱和 D、开关 4）电力晶体管在使用时，要防止（ A ）。 A、二次击穿 B、静电击穿 C、时间久而失效 D、工作在开关状态 电力场效应晶体管（电力MOSFET）适合于在（ D ）条件下工作。 A、直流 B、低频 C、中频 D、高频 6）电力场效应晶体管（电力MOSFET）（ B ）现象。 A、有二次击穿 B、无二次击穿 C、防止二次击穿 D、无静电击穿 7）用万用表Rx1kΩ测量GTO阳极与阴极间电阻时,若其正、反向电阻都很小，说明两极之间（ B ）。 A、开路 B、短路 C、接线错误 D、测量方法错误 8）具有自关断能力的电力半导体器件称为（ A ）。 A、全控型器件 B、半控器件 C、不控型器件 D、触发型器件 9）IGBT的3个引出电极分别是（ D ）. A、阳极、阴极、门极 B、阳极、阴极 栅极 C、栅极、源极 漏极 D、发射极、栅极、集电极 1填空题 1）驱动电路的基本任务是就是将信息按照其控制目标的要求，转换为加在电力电子器件控制端和公共端之间，并使其导通或关断的 2）电力电子器件的驱动电路分为电流驱动型和电压驱动型。 3）在驱动电路中采用的隔离环节一般是光隔离和磁隔离。 4