电工电子技术 基本放大电路详解..ppt

一、 基本结构 二、工作状态 1. 放大状态 二、工作状态 1. 放大状态 晶体管电流测量数据 三、特性曲线 1. 输入特性 2. 输出特性 2. 输出特性 四、主要参数 1. 电流放大系数 ，? 9.2 放大电路的工作原理 放大的概念: 一、放大电路的组成 基本放大电路的简化画法： 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 3、共射极放大电路的电压放大作用 结论： 3、共射放大电路的电压放大作用 结论： 结论： 讨论 题2 题3 题4 题5 题6 放大电路的工作状态 1. 直流通路和交流通路 放大电路的静态分析 2、用放大电路的直流通路确定静态值 3、用图解法确定静态值 3、用图解法确定静态值 9.4 放大电路的动态分析 一、 微变等效电路法 一、微变等效电路法 四、放大电路的频率特性 9.5 双极型晶体管基本放大电路 温度变化对静态工作点的影响 一、 分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 一、分压式偏置电路 1. 稳定Q点的原理 2. 静态工作点的计算 3. 动态分析 例1: 解: (2) 由微变等效电路求Au、 ri 、 ro。 二、共集放大电路 共集电极放大电路(射极输出器)的特点： 多级放大电路及其级间耦合方式 阻容耦合 一、工作原理 1. 零点漂移的抑制 2. 有信号输入时的工作情况 2. 有信号输入时的工作情况 差放电路的几种接法 9.10 功率放大电路 一、对功率放大电路的基本要求 二、乙类互补对称放大电路 1. 电路 四、集成功率放大电路 本章要求： 本章结束！ 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 上堂课回顾 9.6 场效晶体管及其放大电路 9.6.1 绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 9.7 场效应管放大电路 9.7 场效应管放大电路 1.自给偏压式偏置电路 (2) 动态分析 上堂课回顾 1、晶体管 符号： B E C E B C NPN型三极管 PNP型三极管 上堂课回顾 1、晶体管 (1) IE = IB + IC 符合基尔霍夫定律 (2) IC ?? IB ， IC ? IE (3) ? IC ?? ? IB 把基极电流的微小变化能够引起集电极电流较大 变化的特性称为晶体管的电流放大作用。 晶体管放大的外部条件： 发射结正偏、集电结反偏 + UBE ? IC IE IB C T E B + UCE ? 特点:非线性 正常工作时发射结电压： NPN型硅管 UBE ? 0.6 ~ 0.7V PNP型锗管 UBE ? ?0.2 ~ ? 0.3V 3DG100晶体管的 输入特性曲线 O 0.4 0.8 IB/?A UBE/V UCE≥1V 60 40 20 80 死区电压：硅管0.5V，锗管0.1V。 2. 输入特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 放大区 晶体管有三种工作状态，因而输出特性曲线分 为三个工作区。 (1) 放大区 发射结正偏，集电结反偏;有电流放大作用, IC=βIB，输出曲线具有恒流特性。 3. 输出特性 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O （2）截止区 IB ＝ 0 以下区域为截止区，有 IC ? 0 。 截止区 IB = 0 时, IC = ICEO(很小)。(ICEO0.001mA) 发射结反偏，集电结反偏；失去电流放大作用，IC≈0，晶体管C、E之间相当于开路。（开关断开） 上堂课回顾 IB=0 20?A 40?A 60?A 80?A 100?A 3 6 IC(mA ) 1 2 3 4 UCE(V) 9 12 O 饱和区 （3）饱和区 在饱和区，?IB ?IC 深度饱和时， UCE≈0 , ICS ? UCC/RC 发射结正偏，集电结正偏；失去放大作用，晶体管C、E之间相当于短路。（开关接通） 上堂课回顾 共发射极基本交流放大电路 EC RS es RB EB RC C1 C2 T + + + – RL + + – – ui + – uo + – + + – uBE uCE – iC iB iE 1、共发射极基本放大电路组成 一、放大电路的组成 单电源供电时常用的画法 共发射极基本电路 +UCC RS es RB RC C1 C2 T