北京交通大学模电考试试题09年~10年.pdfVIP

北 京 交 通 大 学 考 试 试 题 A 课程名称：模拟电子技术 2009-2010学年第二学期 出题教师：全体 班级：电信学院08级全体 学生姓名_________ 学号_________ 题号 一 二 三 四 五 六 七 八 总分 得分 阅卷人 一、选择填空题 （10分）（答案为黑体） 1．双极型三极管是通过空穴和自由电子导电，NMOS 场效应管是通过 导电。 a.仅通过空穴 b. 仅通过自由电子 c.通过空穴和自由电子 d.通过空穴或自由电子 2．PN结在加正向电压时，PN结的厚度 。 a.变厚 b.变薄 c.不变 d.有变化 3.晶体管工作在放大区时，具有如下特点______________。 a. 发射结正偏，集电结反偏。 b. 发射结反偏，集电结正偏。 c. 发射结正偏，集电结正偏。 d. 发射结反偏，集电结反偏。 4． 放大电路在高频信号作用下的电压放大倍数下降的主要原因是存在 _________。 a.耦合电容 b. 旁路电容 c.耦合和旁路电容 d. 三 极管极间电容 5．单管CE组态放大电路静态工作点设置过高 （U 过高），则输出电压波形容 CEQ 易出现_____。 a.饱和失真 b. 截止失真 c.双向失真 6．工作在放大区的某三极管，如果当I 从14μA增大到16μA 时，I 从1mA变 B C 为2mA，那么它的β约为________。 a.71 b. 100 c.125 d. 500 I 3mA 4mA g 7．当场效应管的漏极电流 从 变为 时，它的低频跨导 将_______。 D m a.变大 b. 变小 c.不变 U = －5V U = －3V 8．测得某放大电路中MOS管的三个电极的电位分别为 S ， G ， U = 3V ，U 为开启电压,U = 4V,此时MOS管工作在_________。 D GS,th GS,th a. 截止区 b. 恒流区 c. 可变电阻区 d. 击穿区 9. 检修某台无使用说明书的电子设备时，测得其一支三极管各极的对地电压分 别为 U = V U = V U = V A －0.7 ， B －1.5 ， C 0 ，经判断该三极管工作在_________。 a. 截止区 b. 放大区 c. 饱和区 d. 击穿区