《非制冷红外焦平面》-课件设计（公开）.pptVIP

Page ? * 非制冷红外焦平面 非制冷红外焦平面 杨珂 一 红外成像的概述 二 非制冷型红外探测器 三 非制冷型红外焦平面阵列原理 红外成像的概述 红外热成像系统： 能够摄取景物红外辐射分布图像，并将其转换为人眼可见视图的装置。 电子学组件 红外望远镜 光学机械扫描器 红外探测器组件 软件及相关算法 红外成像的概述 红外 探测器 光子型红外探测器 非制冷红外探测器 采用窄禁带半导体材料，如HgCdTe、InSb等，利用光电效应实现红外光信号向电信号的转换。因而需要工作在77K或更低的温度下。 缺点：体积大，价格昂贵，制备困难，兼容性差 非制冷红外探测器 根据红外探测器组件的不同，非制冷型热成像仪可分为三类： 第一代 热释电摄像机（红外热释电摄像管） 第二代 凝视型（非制冷凝视焦平面探测器） 第三代 扫描性（非制冷线列焦平面探测器） 非制冷红外探测器 探测器性能的改进 混合式和集成式探测器的大规模生产 混合式和单片机式 技术探索期 技术成熟期 新技术探索期 非制冷红外成像的历史与发展 非制冷红外探测器 非制冷红外探测器利用红外辐射的热效应，由红外吸收材料将红外辐射能转换成热能，引起敏感元件温度上升。 敏感元件的某个物理参数随之发生变化，再通过所设计的某种转换机制转换为电信号或可见光信号。其核心部件是红外焦平面阵列（IRFPA） 非制冷型红外焦平面阵列原理 非制冷IRFPA 电学读出方式 光学读出方式 热敏电阻型 热释电型 热电堆型 二极管型 热电容型 应用光力学效应的非制冷IRFPA 基于F-B腔阵列的非制冷IRFBA 非制冷型红外焦平面阵列原理 3.1 热敏电阻型 利用热敏电阻的阻值随温度变化来探测辐射的强弱 探测材料：氧化钒、非晶硅、钛、钇钡铜氧等 非制冷型红外焦平面阵列原理 热敏电阻型红外探测器结构 非制冷型红外焦平面阵列原理 通常定义红外探测器的响应率R 为输出信号（电流或电压）除以输入辐射能量。假定输出信号 ，则 （2.1—3） 式中 是通过探测像素的偏置电流， 是输入辐射能量 又由热能量公式可知： （2.1—4） （2.1—5） 非制冷型红外焦平面阵列原理 因此，信号电压 （2.1—6） 响应率 （2.1—7） 衡量系统噪声——噪声等效温差（NETD） 当带有焦平面阵列的成像系统的视场中的大的黑体温度发生变化时，能引起阵列输出的信噪比以及读出电路信号产生最小单位的变化，则此温度的变化量即为NETD。 非制冷型红外焦平面阵列原理 3.2 热释电型 红外辐射使材料温度改变，引起材料的自发极化强度变化，在垂直于自发极化方向的两个晶面出现感应电荷。 通过测量感应电荷量或电压的大小来探测辐射的强弱 探测材料：硫酸三甘肽、钽酸锂、钽铌酸钾、钛（铁电）酸铅、钛酸锶铅、钽钪酸铅、钛酸钡 非制冷型红外焦平面阵列原理 热释电效应： 在热平衡条件下，电介质因自发极化要产生表面束缚电荷，这种电荷被来自空气中附集于电介质表面上的自由电荷所补偿，其电不能显现出来，当温度发生变化，由温度变化引起电介质的极化状态的改变不能及时被来自电介质表面上的自由电荷所补偿，使电介质对外显电性。?Ps=p ?T（具有自发极化的晶体） 钛酸钡的结构：钙钛矿型结构 非制冷型红外焦平面阵列原理 下图是典型的热释电红外焦平面单元的电路连接示意图。若用调制频率为f的红外辐射照射热释电近体，则晶体温度、自发极化强度以及由此引起的面束缚电荷密度均随频率f发生周期性变化。如果1/f（T）小于自由电荷中和面束缚电荷所需要的时间，那么在垂直于自发极化强度的两个断面间就会产生交变开路电压，通过负载连成闭合回路，就会在回路中有电流流过，而且在负载的两端产生交变的电压信号，完成光电转换。 非制冷型红外焦平面阵列原理 3.2.1 理论参数分析 居里温度也称磁性转变点，是指材料可以在铁磁体和顺磁体之间改变的温度，即铁电体从铁电相转变成顺电相的相变温度。也可以说是发生二级相变的转变温度。低于居里点温度时该物质成为铁磁体，此时和材料有关的磁场很难改变。当温度高于居里点温度时,该物质成为顺磁体，磁体的磁场很容易随周围磁场的改变而改变。 假设在居里温度 附近（低于 ），红外辐射引起相元的变化为 ，由此引起的电流为 （即回路电流的表达式）为： （2.2—1） 其中A为像素面积，p为热释电系数 非制冷型红外焦平面阵列原理 由于热释电探测器是电容性的，需考虑探测单元的电容 ，则热释电输出信号电压 为： 从而，探测单元响应率为： 如果照射热释电晶体是没有经过调制的红外辐射，则辐射使晶