能带理论用来详解释PN结形成和光生伏特原理-也很有用.docVIP

PAGE \* MERGEFORMAT 4 能带理论在半导体光生伏特效应中的应用 内 容 能带理论在半导体光生伏特效应中的应用 【本讲课程的内容】 一、基础知识与概念 1、费米能级的定义及其物理意义 1）费米能级的定义：根据量子力学理论，具有半奇数自旋量子数（通常为1/2）的费米子，如电子，遵循泡利不相容原理，即一个量子态只能被一个粒子所占据。因此，费米子在能级中的分布遵循费米-狄拉克分布。 分布函数f(E)是指电子(研究对象)占据能带（导带）中某个能级的几率（电子的能量越往上越高）。如果是讨论空穴载流子的话（空穴的能量越往下越高），那么就应当是相应于价带中某个能级所空出（即没有被电子占据）的几率。 能理解2）费米能级的物理意义：Fermi能级（EF）实际上起到了衡量能级被电子占据的几率大小的一个标准的作用。在EEF时，f(E) 1/2；在EEF时，f(E) 1/2；在E=EF时，f(E)=1/2。因此，EF的高低（位置）就反映了能带中的某个能级是否被电子所占据的情况。Fermi能级上电子占据的几率刚好为50%。EF是一种用来描述电子的能级填充水平的假想能级 能理解 2、p型和n型半导体中的能级分布特点 对于绝缘体和半导体，Fermi能级则处于禁带中间。特别是本征半导体和绝缘体，因为它们的的价带是填满了价电子（占据几率为100%）、导带是完全空着的（占据几率为0%），则它们的Fermi能级正好位于禁带中央（占据几率为50%）。即使温度升高时，本征激发而产生出了电子-空穴对，但由于导带中增加的电子数等于价带中减少的电子数，则禁带中央的能级仍然是占据几率为50%，所以，本征半导体的Fermi能级的位置不随温度而变化，始终位于禁带中央。 对于n型半导体，因为导带中有较多的电子（多数载流子），则Fermi能级EF必将靠近导带（Ec）底；同时，掺入施主杂质的浓度越高，Fermi能级就越靠近导带底。 对于p型半导体，因为价带中有较多的自由空穴（多数载流子），则Fermi能级EF在价带（Ev）顶之上、并必将靠近Ev；这时，价带中越是靠近Ef的的能级，就被空穴占据的几率越大；同时，掺入受主的杂质浓度越高，Fermi能级就越靠近价带（Ev）顶。 总之，凡是Ef靠近导带（Ec）底的半导体必将是电子导电为主的n型半导体，凡是Ef靠近价带（Ev）顶的半导体必将是空穴导电为主的p型半导体。 图3.6.1 n型和p型半导体的能级结构图 虽然严格来说，费米能等于费米子系统在趋于绝对零度时的化学势；但是在半导体物理和电子学领域中，费米能级则经常被当做电子或空穴化学势的代名词。 通俗地说，费密能级就像水平面一样。在一个相通系统中，水平面必须相等。比如说，有两个水桶，里面装的水量不一样，水面高度也不一样。但如果用一根管子将两个水桶连通，两个水桶之间就会发生水流，最后使两个水桶的水平面一定会相等。费密能级也是这样。两个分立的材料，费密面可以不一样。但如果这两个材料连成一个系统，就会在这两个材料之间发生电荷的移动，最终使费密能级相等。 3、半导体光生伏特效应简介（太阳能电池）解释角度（能量）和PPT角度有所不同 首先考虑禁带宽度相等的p型半导体与n型半导体的结合情况，例如p型硅与n型硅的结合。如图3.6.2所示，受光激发后，在二者的结合区域，会产生大量的光生空穴载流子和电子载流子。当然，这些光生正、负电荷载流子还有可能再次相互结合。但【一部分光生电子(载流子)会移动到能级较低的n型导带，光生空穴(载流子)会移动到能级较低的p型价带】。其结果是在n型中负电荷增加，在p型中正电荷增加，形成电流。但是，这种电荷的增加不会无限进行下去，正负电荷相互分离后，会产生反电位，而阻止正负电荷进一步积累。这种反电位与正负电荷移动趋势相互平衡所到达的平衡状态，就是该太阳能电池产生的电动势的最大值。 图3.6.2 图3.6.2光生伏特效应示意图 二、光生伏特效应的物理本质（详细介绍） 1、 p-n结中p型和n型半导体接触初始瞬间的能级状态 没有光照的时候在一个半导体中形成p型和n型两个区域，p型和n型的界面就是p-n结。图3.6.3表示p-n结在结合瞬间的能级状态。 没有光照的时候 由于P型区域的费密能级低于n型区域的费密能级，电子就会从n型流向p型，以提高p型区域的费米能级（千万要知道费米函数、费米能级研究对象都是电子）（见下图，就很好）。另外，空穴也从p型流向n型。电子和空穴的这种扩散运动使得n型区域带正电（正离子区），p型区域带负电（负离子区）。所以，p型半导体与n型半导体结合后，在接触面会形成局部电位差，这一电位差将阻碍载流子继续相互扩散。 扩散运动扩散运动 扩散运动 扩散运动 3.6.3 p-n结在结合瞬间的能级状态 没有光照的时候 没有光照的时候