国际(国内)半导讲体硅材料的发展.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * ? 有关杂质在硅中的挥发 （1）当在真空下生长时，不但要考虑杂质在硅中的分凝效应，而且还要考虑到杂质在硅中的挥发效应。 杂质在硅中的分凝效应用下式表示： …………………………..(1) 杂质在硅中的挥发效应用下式表示： …….…..……………(2) 考虑这两种效应的综合效率，用下式表示： …………….(3) 上列各式中： CS—单晶中的杂质浓度。 CL—液体中的杂质浓度。 CO—最初始的杂质浓度。 k—杂质在硅中的分凝系数。 B—挥发系数。 SL—挥发面积。 VL—溶体体积。 t—挥发时间。 x—固液交接面位置（全长的分数） * 表14． 有关杂质在熔硅中的挥发常数 杂质 P As Sb B Al Ga In Cu Fe Mn E 厘米/秒 10-4 5×10-3 7×10-2 5×10-6 10-4 10-3 5×10-3 5×10-5 2×10-5 2×10-4 t挥发 5小时 5分 0.5分 100小时 5小时 0.5小时 5分 10小时 20小时 2小时 1．表中 t 挥发表示杂质在熔硅中挥发掉大半的时间 （令其体积与表面积之比等于2CM） 2．重掺杂应在气氛中进行 （2）挥发常数。 当杂质浓度很小时，真空下单位时间从熔体中挥发的杂质量。 N=EACL 式中： A 为溶体挥发表面。 CL 是溶体中杂质浓度。 E 是挥发常数。 * ? 有关杂质在硅中的扩散在高温时必须充分考虑杂质在硅中的扩散运动，这个运动可以用扩散方程来表示： ………………………………….(1) 式中：J扩散—扩散流密度，即单位时间通过单位面积的原子数。 —杂质浓度沿x轴梯度。 D —扩散系数。 负号表示杂质扩散向浓度小的方向进行。 扩散系数 D 随温度按指数迅速变化： ……………………..(2) 式中： Do—常数。 R—气体常数。 T—绝对温度。 E—激活能。 * 元素 D（在1200℃）（cm2/秒） Do（cm2/秒） E（千卡/克分子） Li ～4×10-5 2.4×10-3 1.9×10-3 2.2×10-3 1.8×104 1.47×104 1.62×104 Cu 8×10-6 5×10-5(在900℃) — — Au 1.3×10-7 1.1×10-3 2.58×104 Zn ～5×10-7 （在1100～1300℃） — — B 4×10-12 10.5 8.5×104 Al 1.5×10-11 3.0×10-10 1.5×10-11 1.5×10-11 8.0 — — — 8.0×104 8.9×104 — — Ga 4.0×10-12 3.6 8.1×104 In ～9.0×10-13 16.5 9.0×104 Tl ～9.0×10-13 16.5 9.0×104 Ge ～3.0×10-13 6.26×105 1.2182×105 P 4.0×10-12 10.5 8.5×104 As 3.0×10-13 0.32 8.5×104 Sb 2.0×10-13 1.5×10-11 3.0×10-12 5.6 0.112 — 9.1×104 6.6×104 — Bi 2.0×10-18 1.03×103 1.07×105 O 1.8×1