双极和mo们s晶体管.pptVIP

耗尽型：当VGS＝0 时，存在导电沟道，ID≠0 增强型：当VGS＝0 时，没有导电沟道，ID＝0 电路符号 PMOS场效应管 PMOS管结构和工作原理与NMOS管类似，但正常放大时所外加的直流偏置极性与NMOS管相反。 PMOS管的优点是工艺简单，制作方便；缺点是外加直流偏置为负电源，难与别的管子制作的电路接口。 PMOS管速度较低，现已很少单独使用，主要用于和NMOS管构成CMOS电路。 开启电压VGS(th) (或VT) 开启电压是MOS增强型管的参数，栅源电压小于开启电压的绝对值, 场效应管不能导通。 夹断电压VGS(off) (或VP) 夹断电压是耗尽型FET的参数，当VGS=VGS(off) 时,漏极电流为零。 场效应管参数 当VGS=0时，VDS|VP|时所对应的漏极电流。 输入电阻RGS MOS管由于栅极绝缘，所以其输入电阻非常大，理想时可认为无穷大。 饱和漏极电流IDSS 场效应管参数 低频跨导指漏极电流变化量与栅压变化量的比值，可以在转移特性曲线上求取。 最大漏极功耗PDM 最大漏极功耗可由PDM= VDS ID决定，与双极型三极管的PCM相当。 低频跨导gm 以MOS管为例 BJT与FET的比较 双极型三极管 场效应三极管 结构 NPN型，PNP型 C与E不可倒置使用 结型耗尽型： N沟道 P沟道 绝缘栅增强型： N沟道 P沟道 绝缘栅