光通信技肾术第三章.pptVIP

第 3 章 通信用光器件 3.1 光源 LED的P__I特性曲线 3.2 光检测器 3.3 光 无 源 器 件 表 3.2 分布反馈激光器(DFB - LD)一般性能 20~40 15~30 输出功率 P/mW (连续单纵模,25oC) 20 15 外量子效率 /% 15~20 20~30 阀值电流 Ith/mA 0.08 频谱漂移 /(nm/oC) 30~35 边模抑制比 /dB 0.04~0.5(Gb/s,RZ) 直接调制单纵模 连续波单纵模 谱线宽度 1.3 1.55 工作波长 光源组件实例 3.2 光检测器 3.2.1 光电二极管工作原理 3.2.2 PIN 光电二极管 一、工作原理和结构 二、PIN光电二极管主要特性 (1) 量子效率和光谱特性 (2) 响应时间和频率特性 (3) 噪声 3.2.3 雪崩光电二极管(APD) 一、工作原理和结构 二、 APD特性参数 3.2.4 光电二极管一般性能和应用  在耗尽层 形成漂移电流。 内部电场的作用，电子向N区运动，空穴向P区运动 3.2.1 光电二极管工作原理 光电二极管(PD)把光信号转换为电信号的功能， 是由半导体PN结的光电效应实现的。  电子和空穴的扩散运动 PN结界面 内部电场 漂移运动 能带倾斜 如果光子的能量大于或等于带隙( hf ≥ Eg ) 当入射光作用在PN结时 发生受激吸收 3.2.2 PIN 光电二极管 PIN光电二极管的产生 由于PN结耗尽层只有几微米，大部分入射光被中性区吸收， 因而光电转换效率低，响应速度慢。 为改善器件的特性，在PN结中间设置一层掺杂浓度很低的本征半导体(称为I)，这种结构便是常用的PIN光电二极管。 3.2.3 雪崩光电二极管(APD)  光电二极管输出电流 I和反偏压U的关系示于图3.24。 随着反向偏压的增加，开始光电流基本保持不变。 当反向偏压增加到一定数值时，光电流急剧增加，最后器件被击穿，这个电压称为击穿电压UB。 APD就是根据这种特性设计的器件。  根据光电效应，当光入射到PN结时， 光子被吸收而产生电子 - 空穴对。 如果电压增加到使电场达到200 kV/cm以上，初始电子(一次电子)在高电场区获得足够能量而加速运动。 高速运动的电子和晶格原子相碰撞， 使晶格原子电离，产生新的电子 - 空穴对。 新产生的二次电子再次和原子碰撞。 如此多次碰撞，产生连锁反应，致使载流子雪崩式倍增，见图3.25。 所以这种器件就称为雪崩光电二极管(APD)。 图 3.25 APD载流子雪崩式倍增示意图(只画出电子） 3.2.4 光电二极管一般性能和应用 表3.3和表3.4列出半导体光电二极管(PIN和APD)的一般性能。 APD是有增益的光电二极管，在光接收机灵敏度要求较高的场合，采用APD有利于延长系统的传输距离。 灵敏度要求不高的场合，一般采用PIN-PD。 -5~-15 -5~-15 工作电压 /V 1~2 0.5~1 结电容 Cj/pF 0.2~1 2~10 响应时间 2~5 0.1~1 暗电流 Id/nA 0.6(1.3 ) 0.4(0.85