课题十三 晶料闸管及其应用.ppt

对应教材章节： 19.1.2 晶闸管 19.2.1 可控整流电路 19.2.2 晶闸管的保护 19.2.3 单结晶体管触发电路 晶闸管 （Silicon Controlled Rectifier） 晶闸管是在晶体管基础上发展起来的一种大功 率半导体器件。它的出现使半导体器件由弱电领域 扩展到强电领域。 晶闸管也像半导体二极管那样具有单向导电性，但它的导通时间是可控的，主要用于整流、逆变、 调压及开关等方面。 体积小、重量轻、效率高、动作迅速、维修简单、操作方便、寿命长、 容量大（正向平均电流达千安、正向耐压达数千伏）。 19.1 晶闸管 19.1.1 基本结构 G 晶闸管是具有三个PN结的四层结构, 其外形、结构及符号如图。 (c) 结构 晶闸管的外形、结构及符号 晶闸管相当于PNP和NPN型两个晶体管的组合 19.1.2 工作原理 A 在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此过程称触发导通。 形成正反馈过程 K G EA 0、EG 0 EG 晶闸管导通后，去掉EG ， 依靠正反馈，仍可维持导通状态。 19.2.2 工作原理 G EA 0、EG 0 K 晶闸管导通的条件： 1. 晶闸管阳极电路(阳极与阴极之间)施加正向电压。 2. 晶闸管控制电路(控制极与阴极之间)加正向电压或正向脉冲(正向触发电压)。 晶闸管导通后，控制极便失去作用。 依靠正反馈，晶闸管仍可维持导通状态。 晶闸管关断的条件： 1. 必须使可控硅阳极电流减小,直到正反馈效应不能维持。 2. 将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反相电压。 正向特性 反向特性 IG2 IG1 IG0 正向转折电压 反向转折电压 正向平均电流 维持电流 19.1.3 伏安特性 19.1.4 主要参数 UFRM: 正向重复峰值电压（晶闸管耐压值） 晶闸管控制极开路且正向阻断情况下,允许重复加在晶闸管两端的正向峰值电压。 一般取UFRM = 80% UB0 。 普通晶闸管 UFRM 为100V — 3000V 如果正弦半波电流的最大值为Im, 则 普通晶闸管IF为1A — 1000A。 UF: 通态平均电压（管压降） 在规定的条件下，通过正弦半波平均电流时， 晶闸管阳、阴极间的电压平均值。 一般为1V左右。 IH: 维持电流 在规定的环境和控制极断路时，晶闸管维持导 通状态所必须的最小电流。 一般IH为几十 ~ 一百多毫安。 UG、IG：控制极触发电压和电流 室温下，阳极电压为直流6V时，使晶闸管完 全导通所必须的最小控制极直流电压、电流 。 一般UG为1到5V，IG为几十到几百毫安。 晶闸管型号及其含义 导通时平均电压组别 共九级, 用字母A~I表示0.4~1.2V 额定电压,用百位或千位数表示取UFRM或URRM较小者 额定正向平均电流(IF) 如KP5-7表示额定正向平均电流为5A,额定电压为700V。 19.2 可控整流电路 19.2.1 单相半波可控整流 1. 电阻性负载 (1) 电路 u 0 时： 若ug = 0，晶闸管不导通， u 0 时: 晶闸管承受反向电压不导通, uo = 0, uT = u ，故称可控整流。 控制极加触发信号，晶闸管承受正向电压导 通， (2) 工作原理 t1 u 0 时: 可控硅承受反向电压不导通 即：晶闸管反向阻断 O 接电阻负载时 单相半波可控整流电路电压、电流波形 动画 控制角 t1 O t2 2 导通角 (3)工作波形 (4)整流输出电压及电流的平均值 由公式可知： 改变控制角，可改变输出电压Uo。 2. 电感性负载与续流二极管 (1)电路 当电压u过零后，由于电感反电动势的存在，晶闸管在一段时间内仍 维持导通，失去单向导电作用。 在电感性负载中 ,当晶闸管刚触发导通时，电感元件上产生阻碍电流变化的感应电势(极性如图)，电流不能跃变，将由零逐渐上升(见波形)。 O t1 t2 2 2) 工作波形(未加续流二极管) u 0时： D反向截止，不影响整流电路工作。 3.电感性负载(加续流二极管) + – (1) 电路 (3)工作波形(加续流二极管) iL 2 19.2.2 单相半控桥式整流电路 1. 电路 2. 工作原理 T1和D2承受正向 电压。 T1控制极加触发电压, 则T1和D2导 通，电流的通路为 a (1)电压u 为正半周时