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第17章　离子注入 掺杂原因： 本征硅 导电能力很差。 在硅中加入少量杂质，结构和电导率变化。 本章目标 1. 解释掺杂在硅片制造过程中的目的和应用. 2. 讨论杂质扩散的原理和过程. 3. 对离子注入有整体的认识，包括优缺点. 4. 讨论剂量和射程在离子注入中的重要性. 5. 列举离子注入机的５个主要子系统. 6. 解释离子注入中的退火效应和沟道效应. 7. 描述离子注入的各种应用. 17.1 引言 具有掺杂区的CMOS结构 CMOS制作中的一般掺杂工艺 离子注入在硅片流程中 在硅片中的掺杂区 17.2 扩 散 1.扩散原理 三步 预扩散 推进 激活 杂质移动 固溶度 横向扩散 2. 扩散工艺 硅片清洗 杂质源 硅中的杂质扩散 扩散原理 扩散时质量守衡，J随时间变化与随空间变化相同－－连续性方程 以下式表示杂质原子流密度 扩散系数与温度有关 D0：扩散率，?E：扩散工艺激活能，k0：玻耳兹曼常数，T：绝对温度。 硅中的固溶度极限 1100°C 扩散工艺 扩散8个步骤: 1. 进行质量测试以保证工具满足生产质量指标. 2. 使用批控制系统，验证硅片特性. 3. 下载包含所需工艺参数的工艺菜单. 4. 开启扩散炉，包括温度分布. 5. 清洗硅片并浸泡HF，去除自然氧化层. 6. 预淀积：把硅片装入扩散炉，扩散杂质. 7. 推进：升高炉温，推进并激活杂质，然后撤出