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VDD IN OUT CMOS反相器 VDD Y A1 A2 与非门：Y=A1A2 3.5 影响集成电路性能的因素和发展趋势 有源器件 无源器件 隔离区 互连线 钝化保护层 寄生效应：电容、有源器件、电阻、电感 小结：MOS 沟道区(Channel)，沟道长度L，沟道宽度W 栅极(Gate) 源区/源极(Source) 漏区/漏极(Drain) NMOS、PMOS、CMOS 阈值电压Vt，击穿电压 特性曲线、转移特性曲线 泄漏电流(截止电流)、驱动电流(导通电流) 小结：器件结构 双极器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS器件的纵向截面结构、俯视结构 CMOS反相器的工作原理 IC：有源器件、无源器件、隔离区、互连线、钝化保护层 作 业 画出CMOS反相器的截面图和俯视图 当Yj=0时，T7和T8截止，基本RS触发器同样不能与读/写电路相连，其状态保持不变，存储单元同样未被选中。 显然，当掉电时基本RS触发器的数据丢失，所以，SRAM是挥发型存储器。 当Xi=0时，T5和T6截止，基本RS触发器不能与读/写电路相连，其状态保持不变，存储单元未被选中。本单元不影响同列的其他存储单元与位线交换数据。 2.基本SRAM的结构 32行╳16列的存储阵列，组成256字╳2位的存储结构。 双地址译码高电平有效 存储单元T1～T6 位线开关管T7、T8 512 OE是输出使能，低电