静电感应晶体管(SIT)..ppt

五、 其它新型电力电子器件 一、静电感应晶体管（SIT） 它是一种多子导电的单极型器件，具有输出功率大、输入阻抗高、开关特性好、热稳定性好、抗辐射能力强等优点； 广泛用于高频感应加热设备(例如200kHz、200kW的高频感应加热电源)。并适用于高音质音频放大器、大功率中频广播发射机、电视发射机、差转机微波以及空间技术等领域。 4-5 其它新型电力电子器件（SIT） 3）原理：SIT为常开器件，即栅源电压为零时，SIT导通；当加上负栅源电压UGS时，栅源间PN结产生耗尽层。随着负偏压UGS的增加，其耗尽层加宽，漏源间导电沟道变窄。当UGS=UP(夹断电压)时，导电沟道被耗尽层所夹断，SIT关断。 SIT的漏极电流ID不但受栅极电压UGS控制，同时还受漏极电压UDS控制。 4-5其它新型电力电子器（SITH） 二、静电感应晶闸管（SITH） 它自1972年开始研制并生产； 优点：与GTO相比，SITH的通态电阻小、通态压降低、开关速度快、损耗小、 及耐压高等； 应用：应用在直流调速系统，高频加热电源和开关电源等领域； 缺点：SITH制造工艺复杂，成本高； 4-5 其它新型电力电子器（SITH） 1、SITH的工作原理 1）结构：在SIT的结构基础上再增加一个P+层即形成SITH的元胞结构；三极：阳极A、阴极K、栅极G。 4-5 其它新型电力电子器（SITH） 栅极负压-UGK可控制阳极电流关断，已关断的 SITH，A-K间只有很小的漏电流存在。 SITH 为场控双极器件，其动态特性比GTO优越。其 通态电阻比SIT小、压降低、电流大，但因器件内有大量 的存储电荷， 所以其关断时间比SIT要长、工作频率要低。 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 三、MOS控制晶闸管MCT（ MOS-Controlled Thyristor) MCT自20世纪80年代末问世，已生产出300A/2000V、1000A/1000V的器件； 结构：是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件，其主导元件是SCR，控制元件是MOSFET。MCT既具有晶闸管良好的导通特性，又具备MOS场效应管输入阻抗高、驱动功率低和开关速度快的优点，克服了晶闸管速度慢、不能自关断和高压MOS场效应管导通压降大的不足。 特点：耐高电压、大电流、通态压降低、输入阻抗高、驱动功率小、开关速度高； 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 1、MCT的工作原理 1）结构：是晶闸管SCR和场效应管MOSFET复合而成的新型器件，其主导元件是SCR，控制元件是MOSFET其元胞有两种结构类型，N-MCT和P-MCT。 三个电极：栅极G、阳极A和阴极K。 4-5 其它新型电力电子器（MCT） 4-5 其它新型电力电子器（IGCT） IGCT ：（Integrated Gate-Commutated Thyristor）也称GCT（Gate-Commutated Thyristor）。 4-5 其它新型电力电子器（SIT） 2、SIT的特性 （N沟道SIT）：当栅源电压UGS一定时，随着漏源电压UDS的增加，漏极电流ID也线性增加， 场控多子器件, 垂直导电结构,导电沟道短而宽,无电荷积累效应,其开关速度相当快,适应于高压,大电流、高频场合； SIT的漏极电流具有负温度系数,可避免因温度升高而引起的恶性循环；T0C ↑→ID↓ SIT的漏极电流通路上不存在PN结,一般不会发生热不稳定 性和二次击穿现象,其安全工作区范围较宽； 栅极驱动电路简单：关断SIT需加数十伏的负栅压-UGS；导通时，也可加5～6V的正栅偏压+UGS,以降低其通态压降。 4-5 缓冲电路 1）原因： 电力电子器件断态时承受高电压，通态时承载大电流，而开通和关断过程中开关器件可能同时承受过压、过流、过大的du／dt和di／dt 以及过大的瞬时功率。 2）缓冲电路作用：防止高电压和大电流可能使器件工作点超出安全工作区而损坏器件。 3）原理：关断缓冲电路吸收器件的关断过电压和换相过电压，抑制 du／dt,减小关断损耗；开通缓冲电路抑制器件开通时的电流过冲和 di／dt ,减小器件的开通损耗。 4-5缓冲电路 GTR关断过程： 流过负载ＲL的电流经电感LS、二极管ＤS给电容ＣS充电，因为ＣS上电压不能突变，这就使GTR在关断过程电压缓慢上升，同时也使电压上升率du／dt被限制。 4-5 缓冲电路 大功率开关器件GTR的缓冲电路。 将无感电容器C、快恢复二极管D和无感电阻R组成RCD缓冲吸收回路。 器件关断过程：电流经过C、