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光刻中驻波效应析
报告人:谭先华 光刻过程中的驻波效应分析 2010-11-21 驻波效应形成的原因 抗蚀剂在曝光过程中由于其折射率和基底材料折射率不匹配,在基底表面产生的反射光和入射光相互干涉而形成驻波。光强的驻波分布使抗蚀剂内的光敏化合物(photo active compound,PAC)的浓度也呈驻波分布,从而使抗蚀剂在显影后边缘轮廓有一定的起伏。 抗反射膜 衍射效应 曝光剂量 3300 rpm for 30 seconds 200nm,正胶:AZ5206E 光谱的宽度 抑制驻波效应的方法有 1、采用多波长混合光源进行曝光[3 ] , 这种工艺虽能明显抑制驻波效应, 但这势必引起光刻胶过度曝光, 显然不适合亚微米光刻; 2、采用着色光刻胶是另一种方法,即在光刻胶中添加着色剂(感光机团或吸光剂) 以吸收反射光, 从而弱化驻波效应及光刻胶多重曝光现象。但着色剂同样能吸收入射光, 因此需增加曝光能量, 导致曝光量难以控制。 3、采用ARC (抗反射涂层) 是目前应用较广泛的工艺, 即在光刻胶上或晶片上涂敷一层抗反射膜, 分别称作TARC与BARC (图2) , 亦可同时涂敷TARC 与BARC 驻波效应的抑制 用驻波效应做结构 消除驻波效应 1、宽频光谱曝光 2、抗反射涂层 3、后烘工艺 4、厚胶工艺 产生驻波效应 1、单色光曝光 2、增反层(镀金属膜、抛光的多晶硅) 3、不后烘 3、胶厚在1um以下(500nm) 其他的方面 1、曝光剂量适当 2、衍射影响 3、根切效应 4、吸收率低的光刻胶 问题 1、断面观察(场扫电镜)? 2、薄胶获得? 3、衍射效应的影响?(接触光刻) 4、曝光剂量控制。 基本想法 1、正胶500nm 2、反射膜 3、适当的曝光 4、场发射电镜扫描
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