A1一Mg合金直接氧化A12.PDF

2004年 11月 重庆大学学报(自然科学版) NOV．20o4 第27卷第1 1期 Journal of Chongqing University(Natural Science Edition) V01．27 No．1l 文章编号：1000—582X(2004)11—0080—04 A1一Mg合金直接氧化A12 03形成模型’ 周 正，陈 小华 (重庆大学材料科学与工程学院，重庆 400030) 摘 要：根据对AI—Mg合金直接氧化合成Al／，Al O，存在Mg的挥发及线性生长动力学特点的分 析，在把表面Mgo形成过程看成是Al O3向Mg0中的溶解过程并认为MgO部分为n型氧化物时，氧化 过程有利于Al O3的形成：A1一Mg合金直接氧化过程中，Mg的挥发满足Al O3形成的两个条件，Mg挥 发促进表层P型MgO的生长和内层n型MgO中Al2O3的形成，促进MgO向MgAI20 的转变过程； MgAJ O 在Al O3的形成中起重要作用，MgO向MgA1 0 转变过程中，生长应力导致MgA1 0 中形成间 隙， 熔体通过此间隙向氧化前沿进行渗流输运；A1 0，的生长动力学取决于MgO向MgA1 0 转变的速 度，MgO向MgAI 0 转变速度加快是Al／，Al O 生长动力学呈线性关系的根本原因。 关键词：金属直接氧化；挥发；铝合金；镁；氧化物 中图分类号：TB331 文献标识码：A 金属高温氧化行为往往是材料的破坏原因之一，因 进行了系统理论分析，建立了AI—Mg合金直接氧化 而又常将高温氧化称高温腐蚀。利用铝合金熔体高温 合成Al／，Al 0，的较完整机理模型。 直接氧化合成Al／，AI 0，陶瓷基复合材料研究 的提 1 MgO缺陷结构及形成动力学 出给金属高温氧化研究注入了新的内涵，即利用金属高 温氧化知识发展合成新材料技术。通过对铝熔体的Mg 当AI—Mg合金熔体表面形成连续分布MgO时， “掺杂”处理，氧化后可以获得组织结构及性能良好的 其氧化生长动力学应为抛物线规律，由此解释的 A1／AI 0，复合材料。这种氧化过程涉及液一固一气3 Al／，Al 0，形成动力学也必然满足抛物线方程。 种状态物质参与，其过程比固态金属的非保护性氧化过 现有研究一般将Mgo看成是P型氧化物，于是在 程复杂。从理论上探讨 熔体氧化形成 AI 0，的 金属不足造成的P型半导体中，可以把阳离子空穴和 机制及其“掺杂”的影响具有重要意义。 电子空穴的本征缺陷表示为： 分析发现，已有的研究主要针对含Mg高的 合 1 ÷o2— 0o+V”Mg+2h (1) 金 】，自然把Mgo的诱发机制作为重要研究对象，结 厶 果是无法解释 ／ ：o3线性生长动力学 等问题。在 此时MgO氧化生长的抛物线速率常数随氧分压 实际制备工艺中，无论采用何种Mg含量的 合金进行 而变化为： 氧化，最后的 ／ ：0，组织及剩余 合金中Mg的含量 k go {(JP，，o2) ，6一(JP o2) } (2) 都很低，甚至被消耗完 7J，这意味着氧化过程中存在Mg Mg与Mgo平衡时的P02与气氛中的p／t0，值相比 的挥发。Mg的挥发显然会改变表层氧化物的性质。这 较可以忽略，于是有 种事实存在但却被人们忽略的现象说明，把AI：0，形成 k”Mgo (P”o2) (3) 机制仅看成是Mgo诱发的结果有失