《J BT9481-1999-扩散硅力敏器件》.pdfVIP

ICS19 N05 JII} 中华人 民共和 国机械 行 业标 准 JB/T9481-1999 扩散硅力敏器件 Diffusedytpesiliconforcesensingdevices 1999-08-10发布 2000-01-01实施 国 家 机 械 工 业 局 发布 JB/T9481- 1999 前 言 本标准是对ZBN11011-88(扩散硅力敏器件》的修订。修订时，对原标准作了编辑性修改，主要技 术内容没有变化。 本标准自实施之日起，代替ZBNI1011-88. 本标准由机械工业部仪器仪表元器件标准化技术委员会提出并归口。 本标准负责起草单位:沈阳仪器仪表工艺研究所。 本标准主要起草人:徐学峰、李宗禄、胡静山。 中华人民共和国机械行业标准 JB/T 9481- 1999 扩散硅力敏器件 代替ZBN11011-88 Diffusedtypesiliconforcesensingdevices 范 围 本标准规定了扩散硅力敏器件的产品分类、要求、试验方法、检验规则及标志、包装、运输和贮存。 本标准适用于半导体扩散型硅杯式力敏器件。 2 引用标准 下列标准所包含的条文，通过在本标准中引用而构成为本标准的条文。本标准出版时，所示版本均为 有效。所有标准都会被修订，使用本标准的各方应探讨使用下列标准最新版本的可能性。 GB/T2423.5-1995 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Ea和导则:冲击 GB/T2423.10-1995 电工电子产品环境试验 第2部分:试验方法 试验Fc和导则:振动(正弦) GB/T2828-1987 逐批检查计数抽样程序及抽样表(适用于连续批的检查) GB/r4475- 1995 敏A元器件术语 3 定义 本标准采用下列定义。 其他术语采用GB/T4475的相关定义。 3.1敏感电阻 RSsensingresistance 把被测的物理量转换成电阻值变化的电阻。 3.2 温度补偿电阻 Rctemperaturecompensationresistance 与被测的物理量无关，只起温度补偿作用的电阻。 3.3 激励 Exexcitation 为使器件正常工作而施加在其输人端的外部电流或电压。 3.4 反向击穿电压 Vsreversebreakdownvoltage 用仪器(JT-1图示仪)测出的器件两半桥之间的隔离击穿电压。 3.5零点输出 Uozerooutput 器件置于室温条件下，施加标称激励，当被测量值为零时测出的器件桥路输出值。 3.6满量程输出 呢 fullspanoutput 器件测量上限时桥路输出值与零点输出值的代数差。 3.7 零点时漂 几 zerotimedrift 将器件置于恒温条件下(沮度波动不超过129C)，连续侧量8h,其零点输出的最大与最小值之差与满 量程输出之比。 3.8 温度范围 Tstemperaturerange 能保证器件技术性能参数所允许的环境最低温度到最高温度。 国家机械工业局 1999-08-10批准 2000-01-01实施 1 拍 汀 9481-1