应变SiNMOS积累区电容特性研究.pdf

物理学报 Acta Phys. Sin. Vol. 62, No. 5 (2013) 057103 应变Si NMOS 积累区电容特性研究* † 王斌 张鹤鸣 胡辉勇 张玉明 舒斌 周春宇 李妤晨 吕懿 ( 西安电子科技大学微电子学院, 宽禁带半导体材料与器件重点实验室, 西安 710071 ) ( 2012 年8 月21 日收到; 2012 年10 月29 日收到修改稿) 积累区MOS 电容线性度高且不受频率限制, 具有反型区MOS 电容不可比拟的优势. 本文在研究应变Si NMOS 电容C-V 特性中台阶效应形成机理的基础上, 通过求解电荷分布, 建立了应变Si/SiGe NMOS 积累区电容模型, 并与 实验结果进行了对比, 验证了模型的正确性. 最后, 基于该模型, 研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等参数对台 阶效应的影响, 为应变Si 器件的制造提供了重要的指导作用. 本模型已成功用于硅基应变器件模型参数提取软件 中, 为器件仿真奠定了理论基础. 关键词: 应变Si NMOS, 积累区电容, 台阶效应, 电荷分布 PACS: 71.23.An, 71.70.Fk DOI: 10.7498/aps.62.057103 容的“台阶” 仅仅出现在积累区, 有关的研究工作 1 引言 较少. 高速数字CMOS 电路, 尤其是射频电路, 所用 近年来, 硅基外延半导体材料成为了一个热门 的MOS 电容, 期望具有高的线性度和好的频率特 的研究课题. 不断出现的新型硅基电子器件和光学 性. 工作在线性区和反型区的MOS 电容C-V 曲线 器件使得集成电路的功能越来越强大而其功耗越 都较为“平坦”, 但是积累区电容比反型区电容的线 来越低. 近期研究表明, 由于具有较高的电子和空 性度要好, 所引入的非线性误差要小, 同时, 积累区 穴迁移率, 应变Si (SSi)/SiGe 结构为高性能IC 的 电容几乎不受工作频率的限制, 具有反型区MOS 生产提供了一个很好的平台. 由于材料间的晶格 电容不可比拟的优势, 所以近年来吸引了较多的研 失配(Si 和Ge 材料的晶格失配大约为4.2%) , 弛 究兴趣1416 . 豫SiGe 缓冲层上外延生长的Si 可以为Si 薄膜提 为此, 本文分析了应变Si NMOS 电容C-V 特 供一个张应力. 应力的引入使得导带能谷和价带带 性中台阶效应的形成机理, 并通过求解器件不同工 边发生了分裂, 降低了输运方向上电子和空穴的有 作状态下的电荷分布, 建立了SSi/SiGe NMOS 积累 效质量, 结果使得应变Si 中载流子迁移率获得了 区电容模型. 与实验数据的对比结果表明, 所建模 提高17 . 型准确的反映了SSi/SiGe NMOS 电容C-V 特性中 但是, 由于具有TYPE-II 型的能带结构, 导带 的台阶效应, 验证了模型的正确性. 最后, 基于本模 和价带的带阶使得电子和空穴在SSi/SiGe 界面处 型, 研究了锗组分、应变层厚度、掺杂浓度等器件 的运输受到了抑制, 导致SSi/SiGe MOS 电容C-V 物理参数对台阶效应的影响. 该模型为应变Si 器件 特性中出现了一个“台阶”89 . PMOS 电容的“台 的设计制造提供了重要的指导作用, 并已成功的应 阶” 随着掺杂浓度的增大会从积累区向反型区转