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聚吡咯聚苯胺同轴纳米阵列复合材料的电化学储能研究-物理化学专业论文.docxVIP

聚吡咯聚苯胺同轴纳米阵列复合材料的电化学储能研究-物理化学专业论文.docx

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聚吡咯聚苯胺同轴纳米阵列复合材料的电化学储能研究-物理化学专业论文

优秀毕业论文 精品参考文献资料 东南大学学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所 东南大学学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所 知,除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果, 也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本 研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。 研究生签名:王盎 日期:丝篷:;:f/ 东南大学学位论文使用授权声明 东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电 子文档,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。本人电子文档的内容和纸质论文的内容相 一致。除在保密期内的保密论文外,允许论文被查阅和借阅,可以公布(包括以电子信息形式刊登) 论文的全部内容或中、英文摘要等部分内容。论文的公布(包括以电子信息形式刊登)授权东南大 学研究生院办理。 研究生签名:进 导师签名: 日期:测量三:¨ 万方数据 摘要论文名称:聚吡咯/聚苯胺同轴纳米阵列复合材料的电化学储能研究 摘要 论文名称:聚吡咯/聚苯胺同轴纳米阵列复合材料的电化学储能研究 学生姓名:王丹 指导教师:谢一兵 学校名称:东南大学 摘要 超级电容器因具有功率和能量密度高、循环效率高、低成本、安全稳定等众多优点 而广泛应用于移动电子设备、交通运输、后备电源等领域。导电高分子聚吡咯(PPy)和 聚苯胺(PANI)具有环境稳定性好、易合成、导电性较高、氧化还原可逆性好等优点, 因此作为超级电容器电极材料,具有重要的应用研究价值。超级电容器电极材料的储能 性能与电极活性物质、电极材料结构以及基底材料导电性有密切关系。本论文将阴离子 掺杂PPy和质子酸掺杂PANI构成同轴纳米阵列结构复合电极材料,两种导电聚合物在 充放电过程中可逆掺杂/去掺杂电解质溶液中的阴、阳离子进行电化学储能,复合电极 材料通过协同储能作用提高电容性能。 本论文研究了聚吡咯/聚苯胺同轴纳米阵列复合材料的电化学储能。具体设计合成 了基于Ti02 NTAs基底、自支撑结构、TiN NTAs基底的聚吡咯/聚苯胺复合电极材料: 聚吡咯/--氧化钛/聚苯胺同轴三层纳米管阵列复合材料(PPy/Ti02/PANI),自支撑聚苯 胺纳米柱嵌聚吡咯纳米孔同轴阵列膜复合材料(PPy/PANI),聚吡咯,氮化钛/聚苯胺同 轴三层纳米管阵列复合材料(PPyfFiN/PANI),并研究以上复合材料电化学电容性能 及其在超级电容器中的应用。本论文研究的具体工作包括以下几个方面。 1.聚吡咯/-氧化钛/聚苯胺同轴三层纳米管阵列复合材料的制备及电容性能研究 Ti02 NTAs具有高度的有序性,可以为离子传输提供单向通道,有利于充放电过程 中离子的扩散,从而提高电极材料的电容性能,因而Ti02 NTAs可以作为超级电容器 电极基底材料。此外,在光照条件下,‘半导体特性的Ti02 NTAs表面可以产生电子一 空穴对,促进PPy和PANI进行电聚合反应。首先以Ti02 NTAs为基底,采用常规脉 冲伏安法沉积PPy,制备PPyfri02同轴二层纳米管阵列,然后再采用光助电聚合法沉 积PANI,制备PPy/Ti02/PANI同轴三层纳米管阵列复合材料。研究了该复合材料的形 貌、结构特征及储能性能。扫描电镜表征结果显示PPy选择性沉积在Ti02 NTAs外壁, 同时PANI选择性沉积在Ti02NTAs内壁,且管口上端部分敞开,管壁内外表面沉积均 匀,构成PPy/Ti02/PANI同轴三层纳米管阵列复合材料;PPyfri02/PANI同轴三层纳 米管阵列复合材料在1 M H2S04电解液中,.0.2到0.6 V电位区间和0.5 A g-1的电流密 度下的比电容、功率密度和能量密度分别为646.67 F g~、0.2 kw kg.1、57.48 wh kg-1, 万方数据 摘要比电容为相同测试条件下 摘要 比电容为相同测试条件下PPy/Ti02同轴二层纳米管阵列复合材料比电容(301.6 F g-1) 的两倍,说明P型掺杂PPy与n型掺杂PANI在充放电过程中通过可逆掺杂/去掺杂电 解质溶液中的阴、阳离子进行电化学协同储能,提高复合材料的电容性能。电流密度由 0.5 A g-1增大至5 A g-1,该材料比电容由646.67 F g‘1下降至281.2 F g-1,倍率性能有待 提高。2 A g-’电流密度下500次连续循环充放电后,PPy/Ti02/PANI同轴三层纳米管阵 列复合材料电容保持率约为72.3%。Ti02的半导体特性使得PPy/Ti02/PANI同轴三层纳 米管阵

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