BEPCII初步方案设计.doc

第三章 储存环 北京正负电子对撞机重大改造工程初步设计 PAGE 1 3.4高頻系统 3.4.1概述 高频系统是电子储存环的基本组成部分，发射机将来自电网的电能转变为微波，经波导传输馈入谐振加速腔，在腔中建立起加速电压,当电子穿越加速腔时就获得了动能。因此高频系统好比汽车的发动机，源源不断的为束流补充能量损失。同时，射频加速场、同步辐射和色散效应一起决定了束团纵向基本特征。 BEPC升级改造项目 (BEPCII) 是一台双环高亮度正负电子对撞机和兼容模式下的同步光源。原有高频的设备已不能满足BEPCII在腔压，功率和高阶模方面的要求，为此BEPC现有的高频系统将进行全面的更新。新系统将采用国际上应用占主流的500 MHz工作频率取代原有的200 MHz工作频率，以便获得较短的束长，同时也便于借鉴国际上的先进经验和技术；由于射频超导技术的日趋成熟和广阔的应用前景，按照科学院发展加速器高新技术的指导方针，系统将采用超导高频腔。整个高频系统包括两套独立的子系统，e+ 环和e? 环各一套。每个子系统由超导腔，250 kW速调管发射机，低电平线路和本地的低温设备构成, 图2.4-1表明系统的概貌。在对撞模式下e+ 环和e? 环的高频子系统可提供1.5 MV腔压，150 kW功率；在光源模式束流在外环运行经过两只高频腔，高频系统具备提供3.0 MV腔压，400 kW功率的能力。高频系统的主要参数见表2.4-1。 图2.4-1 RF系统框图 表2.4-1 BEPCII中与高频系统相关的机器参数 参数 符号 单位 对撞模式 （e+环和e?环） 同步光模式 能量 E Gev 1.89 (最大2.0) 2.5 周长 C m 237.5306 241.129 流强 Ib mA 910 250 束长 σz mm 1.5 1.2 动量压缩因子 αp 0.0235 0.0161 辐射损失 U0 KeV 121 336 寄生模损失 Uk KeV ~14 （依赖填充模式） 谐波数 h 396 402 RF频率 frf MHz 499.800 回旋频率 f0 MHz 1.262 1.243 同步振荡频率 fs kHz 42.91 43.51 高频电压 Vrf MV 1.5 3.0 纵向阻尼时间 τe ms 12.5 6 束流功率 Pb kW 123 84(不含寄生模) 3.4.1.1 BEPCII对高频系统的要求 表2.4-2列出了在对撞模式下BEPCII总体设计对e+ 环和e? 环的高频系统的要求,其主要参数与当今500MHZ射频超导最高技术水平相当,超导加速腔和约1A的重束流负载是这个系统的主要特征,建成后系统能否稳定运行是对设计和建造者的严峻挑战。 表2.4-2 RF系统的设计要求 项目 要求 1 腔 压 1.5 MV 2 束流负载 功率123 kW、 流强0.93A 3 HOM 4 相 位 ±1o、 调节范围±360o 5 幅 度 ±1% 3.4.1.2技术方案 目前CESRc 500 MHz超导腔和KEKB 508 MHz超导腔电压的运行值由每腔1.4 – 1.8 MV，每腔提供的束流功率在250 kW以上。BEPCII选择的设计运行值为1.5 MV/腔，束流功率130 kW，那么e+ 环和e? 环各需1只超导加速腔即可, 表2.4-3是 RF系统主要技术参数。为了建造符合要求的系统，同时促进国内先进加速器技术进步，主要借鉴国际国内的经验和商业产品的状况，基本的工程技术路线为：购买两台250 kW发射机，通过国际合作引进两台超导腔，低电平国内研制。BEPCII工程中高频系统所担负的任务可概括为如下几点： 引进两个超导腔、建好测试基地和维护设施； 2. 购买250 kW功率源、完成配套设施； 3. 研制低电平控制和保护设备； 4. 系统调试运行。 表2.4-3 RF系统主要参数 对撞模式RF系统的运行参数（e+ 环和e? 环） 参数 符号（单位） 数值 频率 frf (MHz) 499.8 腔压 Vc (MV) 1.5 能量损失/圈 Ub (keV) 135 流强 Ib (mA) 910 束流功率 Pb (kW) 123 同步相角 ?s (Deg.) 174 加速腔数量 NC 1 速调管数量 NK 1 发射机功率 Pout (kW/Klystron) 250 同步光源运行模式RF系统的参数 腔压 Vc (MV) 2.0 能量损失/圈 Ub (keV) 336 流强 Ib (mA) 250 束流功率 Pb (kW) 84 同步相角 ?s (Deg.) 167 加速腔数量 NC 2 速调管数量 NK 2 发射机功率 Pout (kW/Klystron) 500 系统稳定性 加速电压相位稳定度 ?? (