第五章西电子输运1.pptVIP

* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 三、 介电弛豫 极化适应外电场频率变化的能力是不一样的。极化子质量较大的空间极化与取向极化，由于惯性大，无法跟随高额电场变化，只在较低频率下起作用。起因子离子位移的离子极化能适应更高的频率(约1013Hz)。电子云的变形引起的电于极化则有极高的适应速度(约1016Hz)。 由于上述原因，介电常数随测试频率增高而单调减少。这一现象称为介电弛豫。 * 离子极化和电子极化均与晶格有着强烈的相互作用，介电常数在特定的频率下由于共振而呈极大值，即表现出共鸣型介电弛豫。因此，介电常数随频率的变化在微波、红外及紫外频段有异常存在。 * 四、介电损耗 极化不能跟上外电场频率变化而出现介电弛豫，即会产生介电损耗。 介电损耗，极化与外电场的位相差 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * H：指磁场强度 * * * * 2.磁场对电阻的影响 具有磁性的金属、半导体材料的电阻率在磁场中发生变化的现象称为磁电阻效应，简称磁阻效应。 电阻率随磁场的加大而增加时，称为正磁阻效应；电阻串随磁场的加大而减小时，为负磁阻效应。 磁场引起的电阻率的变化与未加磁场时电阻率之比(Δρ /ρ0 )称为磁电阻率。 * 3. 巨磁阻效应 磁电阻率达百分之几十以至百分之百以上的磁阻效应叫做巨磁阻效应。 低温下Fe／Cr多层膜的电阻随外磁场而加大，变化达50％，具有巨磁阻效应。 * （1）巨磁性多层膜 采用人工的方法，厚度为d1的A种薄膜和厚度为d2的B种薄膜，交替排列，构成了以A d1／ B d2为周期的人工超晶格材料。如果有n个A d1／ B d2周期，记作（A d1／ B d2 )n。 * 反铁磁耦合：相邻铁磁层的磁矩相互反平行。 铁磁耦合：相邻铁磁层的磁矩相互平行。 铁磁耦合随隔离层的厚度呈周期性震荡。 * 电阻：传导电子受到散射引起。 电子有两种自旋方向。 * § 5.5 快离子导体 离子晶体是绝缘体，其离子导电主要由肖特基(schonky)缺陷或弗兰克尔(Frankel)缺陷的迁移产生。 室温下这些缺陷的浓度不高，随温度的升高缺陷的浓度增大，因此，通常电荷载流于数目不大，而且与温度有关。 * 某些离子晶体却有数目相当大的载流子，载流子浓度与温度无明显关系，其平均自由程大，离子导电激活能低，(＜0.4ev)。它们的离子电导率与液体电解质差不多，甚至更高。这类离子化合物叫做快离子导体。 * 某些离子晶体中阳离子与点阵的结合很弱，阳离子的热振动振幅的大小可以与它们可能占据的晶体学位置间的距离相当，因此，这些阳离子很容易从一个位置迁移到另一个位置。 * AgI属立方晶系，空间解为Im3m， AgI单胞中含有两个AgI分子，I-离子占据立方晶格的顶角和体心位置，形成体心立方点降，两个Ag离子无序地分布在42个间隙位置上，即6个碘离子八面体的(b)位置、12个碘离子四面体的(d)位置和24个碘离子三方双锥体的(h)位置。 1. AgI离子晶体 * 2. 锂离子导体 用A1取代石英中一半的Si，并加入Li+进行电荷补偿，可以得到类石英结构的β理霞石，它的分子式为β —LiAlSiO4。在垂直于c轴的方向上，Al和Si原子交替地作层状有序排列，因而β —LiAlSiO4的单位晶胞和石英相比在c轴方向上是双倍的。 * § 5.6 超导电性 * * 迈斯纳效应 迈斯纳(Meissner)发现超导材料具有完全排斥磁力线的能力，因此，把超导体完全排斥磁力线的现象叫做迈斯纳效应。将一个超导体球放在适当的磁场中，随后降低超导体的温度，当T＜Tc时，由于磁力线不能穿透超导体，而使超导体悬浮在磁场中。 当温度升高到了Tc 后，材料转变成非超导体时，磁力线又会进入球体中，球体不能悬浮在磁场中。 * * 在磁场强度为H的外磁场中，材料的磁化强度M与磁感应强度B之间满足下面的关系式： 磁化率 超导状态下，B = 0 M =