《碳掺杂二氧化钛纳米管阵列场发射特性研究》-毕业论文(设计).docVIP

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  • 2019-01-18 发布于广西
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《碳掺杂二氧化钛纳米管阵列场发射特性研究》-毕业论文(设计).doc

碳掺杂二氧化钛纳米管阵列场 发射特性研究 (西北师范大学 物理与电子工程学院 甘肃 兰州 730070) 摘要:本文采用阳极氧化法制备了高度有序的二氧化钛纳米管阵列,并通过热乙炔处理已制备的二氧化钛纳米管阵列,得到碳掺杂的二氧化钛纳米管阵列。场发射测试表明,碳掺杂二氧化钛纳米管阵列显示了极好的场发射特性,其开启电场为9.4 V/?m,阈值电场为20 V/?m,且具有较好的场发射稳定性。这是因为碳掺入二氧化钛纳米管将在其禁带引入掺杂能级,这能够使其费米能级得以提高,进而降低其功函数,从而降低了表面势垒,使得电子容易从固体表面发射到真空,这样其场发射特性得到了极大地提高。 关键词: 场发射;二氧化钛纳米管;碳掺杂 The electron field emission of carbon-doped TiO2 nanotube array Longguo Wang Chengwei Wang (College of Physics and Electronic Engineering, Northwest Normal University, Lanzhou 730070, Gansu, China) Abstract: TiO2 nanotube arrays were obtained by anodization. To enhancing the fi

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