石墨烯合金复合材料的设计制备及其热电性能电化学储锂性能研究材料科学与工程专业论文.docxVIP

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石墨烯合金复合材料的设计制备及其热电性能电化学储锂性能研究材料科学与工程专业论文

⑧论文作者签名:——垂虹 ⑧ 论文作者签名:——垂虹 指导教师签名: i塑茎垫 论文评阅人l: 堑至麴援 评阅人2: 鳖世超麴援 评阅人3: 墓直蝰麴攫 评阅人4. 堇厦堡数援 评阅人5: 匿型!近麴拯 答辩委员会主席: 途堑垩麴攮 委员1: 整塞魁数拯 委员2: 霍焦遨塾攮 委员3: 渣送堇塾援 委员4: 塞匦莲数攮 要贝5: 塞迭至麴援 委员6: 赵逝基塾援 万方数据 Author’s Author’s signature Supervisor’s signatur External Reviewer 1: 里!Q£尘!塾1鱼塾g External Reviewer 2: 里!旦£曼照i鱼h亟Q圣鱼垒坠g External Reviewer 3: 里墅Q£壁垒鱼旦g£垦i External Reviewer 4: Prof.Lizhen Fan External Reviewer 5: 里兰Q£基i垦QY坠垦坠£垒曼坠 Examining Committee Chairperson: Examming Committee Members: Prof.Wenkui Zhang Prof.Dexuan Huo Date oforal defence: 』迪曼墨,2Q 15 万方数据 浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得 浙江大学研究生学位论文独创性声明 本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得 的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已 经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得逝壅盘堂或其他教育机构的 学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均 已在论文中作了明确的说明并表示谓}意。 学位论文作者签名: Y杂叭 签字日期: 沙廖年6月f b日 学位论文版权使用授权书 本学位论文作者完全了解迸望盘堂有权保留并向国家有关部门或机 构送交本论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权迸姿态鲎 可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可以采用 影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。 f保密的学位论文在解密后适用本授权书) 学位论文作者签名:高议’ 导师签名: 怖“邑 签字日期:yf许6月t 6日 签字日期:沙i厂年 6月/。日 万方数据 摘要摘要 摘要 摘要 石墨烯是一种由碳原子组成的二维周期蜂窝状点阵结构材料,具有高的电 导率和迁移率、大的比表面积、良好的机械强度及热稳定性等特点,因此是理 想的复合材料组元。由于石墨烯优异的物理化学性能,石墨烯复合材料在能源 转换和存储方面的应用也被认为具有广阔前景。尤其在热电材料和锂离子电池 领域,石墨烯复合材料被广泛关注。本文设计和制备了石墨烯一合金复合材料, 研究了它们的热电性能或电化学吸放锂性能。具体研究了石墨烯 一CoSb3(CoSb3/G)体系、石墨烯.PbTe(PbTe/G)体系的热电性能以及石墨烯一锡基 合金复合物(CoSn2/G和FeSn2/G)的电化学吸放锂性能。主要成果可以归结如下: 提出纳米化结合复合化的策略提高P型CoSb3体系的热电性能。采用溶剂 热法制备了CoSb3/G纳米粉末,其中CoSb3颗粒尺寸约为5—10 nm。由于石墨 烯的存在,经过600。C热压烧结2 h后的复合材料中CoSb3晶粒尺寸仍保持在 100m左右,远小于纯CoSb3试样的颗粒尺寸。热电性能研究发现,与含量为 1.5 wt%的石墨烯原位复合后,材料的室温电导率从约11000提高到了51000 S m-1,室温晶格热导率从1.05降低到了0.9 W m-1 K-1。CoSb3/G试样在800 K时 z,值达到0.61,而纯CoSb3仅为0.26。体系电导率的提高是由于石墨烯对体系 载流子浓度和载流子迁移率的共同提高。体系晶格热导率的降低是由于均匀分 散的石墨烯造成更多界面散射。 采用共沉淀法制备了CoSb3/G的前驱体,将前驱体在不同气氛(氢气和氢氮 混合气)中烧结得到CoSb3/G复合材料。热电测试发现,石墨烯的引入提高了体 系电导率并降低了热导率,这与溶剂热结合热压法制备的CoSb,/G试样类似。 说明在不同合成工艺或合成条件下,石墨烯的引入都能在一定程度上提高电导 率并降低热导率。采用溶剂热法制备了PbTe/G复合物,尺寸为100—200 IIITI的 PbTe立方体颗粒被包裹在石墨烯片层中。由于石墨烯的存在,经过6000C热压 烧结2 h后,PbTe的纳米结构仍得到保留。热电性能研究发现,相比于纯PbTe, 复合材料的室温电导率从约1300提高至22000 S rn-1,室温晶格热导率从1.15 降低到了0.85

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