《电工与电子技术基础》第7章-直流稳压电源.pptVIP

两种常用可控整流电路 电路 特点 该电路只用一只晶闸管，且其上 无反向电压。 2. 晶闸管和负载上的电流相同。 (1) u T D2 D1 D4 u0 RL D3 + - + - 电路 特点 1. 该电路接入电感性负载时，D1、D2 便起 续流二极管作用。 (2) 三. 三相半波可控整流电路 动画 2. 由于T1的阳极和T2的阴极相连，两管控 制极必须加独立的触发信号。 T1 T2 D1 D2 u uO R L + - + - 三. 三相桥式半控整流电路 2.工作原理 1. 电路 动画 u2a 2? ? u2b u2c t1 t2 u o T T1 RL uo D3 T2 T3 D2 D1 io c b a u + + – – 7.4.3 晶闸管的保护 晶闸管承受过电压、过电流的能力很差，这是它的主要缺点。 晶闸管的热容量很小，一旦发生过电流时，温度急剧上升，可能将PN结烧坏，造成元件内部短路或开路。例如一只100A的晶闸管过电流为400A时，仅允许持续0.02秒，否则将因过热而损坏； 晶闸管耐受过电压的能力极差，电压超过其反向击穿电压时，即使时间极短，也容易损坏。若正向电压超过转折电压时，则晶闸管误导通，导通后的电流较大，使器件受损。 一. 晶闸管的过流保护 1. 快速熔断器保护 电路中加快速熔断器。当电路发生过流故障时，它能在晶闸管过热损坏之前熔断，切断电流通路，以保证晶闸管的安全。 与晶闸 管串联 接在输入端 ~ 接在输出端 快速熔断器接入方式有三种，如下图所示。 2. 过流继电器保护 3. 过流截止保护 在输出端(直流侧)或输入端(交流侧)接入过电流继电器，当电路发生过流故障时，继电器动作，使电路自动切断。 在交流侧设置电流检测电路，利用过电流信号控制触发电路。当电路发生过流故障时，检测电路控制触发脉冲迅速后移或停止产生触发脉冲，从而使晶闸管导通角减小或立即关断。 2. 硒堆保护 二. 晶闸管的过压保护 1. 阻容保护 C R 利用电容吸收过压。其实质就是将造成过电压 的能量变成电场能量储存到电容中，然后释放到电 阻中消耗掉。 R C R C 硒堆保护 (硒整流片) C R ~ R L 晶闸管元件 的阻容保护 7.4.4 单结晶体管触发电路 一. 单结晶体管结构及工作原理 1.结构 B2 第二基极 B1 N 欧姆接触 接触电阻 P 发射极E 第一基极 PN结 N型硅片 (a) 示意图 单结晶体管结构示意图及其表示符号 (b) 符号 B2 E B1 2. 工作原理 ? UE ? UBB+UD = UP 时 PN结反偏，IE很小； PN结正向导通, IE迅速增加。 UE ? UP时 ? ? – 分压比(0.5~ 0.9) UP – 峰点电压 UD – PN结正向导通压降 B2 B1 UBB E UE + _ + _ RP + _ + _ 等效电路 RB1 RB2 A UBB E UE + _ RP + _ + _ B2 B1 测量单结晶体管的实验电路 由图可求得 3 .单结晶体管的伏安特性 UV、IV(谷点电压、电流): 维持单结管导通的最小 电压、电流。 UP(峰点电压)： 单结管由截止变导通 所需发射极电压。 Ip IV o IE UE UP 峰点电压 UV 谷点电压 V 负阻区 截止区 饱和区 负阻区：UEUP后， 大量空穴注入基区， 致使IE增加、UE反 而下降，出现负阻。 P 1. UE UP时单结管截止； UE UP时单结管导通， UE UV时恢复截止。 单结晶体管的特点 B2 E B1 2.单结晶体管的峰点电压UP与 外加固定电压UBB及分压比? 有关，外加电压UBB或分压比?不同，则峰点电 压UP不同。 3. 不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流IV都 不一样。谷点电压大约在2 ~ 5V之间。常选用 ?稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大输 出脉冲幅度和移相范围。 二. 单结晶体管触发电路 1. 振荡电路 单结晶体管弛张振荡电路 单结晶体管弛张 振荡电路利用单结管 的负阻特性及RC电路 的充放电特性组成频 率可调的振荡电路。 ug R2 R1 R U uc E + C + _ _ + _ 50? 100k? 300? 0. 47?F ug R2 R1 R U uC E + C + _ _ + _ 50? 100k? 300? 0. 47?F 2. 振荡过程分析 设通电前uC=0。 接通电源U, 电容C经电阻R充电。电容电压uC逐渐升高。 当uC ? UP时,