南工大特种陶瓷沈春英3.4热敏..ppt

　制作：In辗细(小颗粒状)，与Ga机械混合，很好地熔融。 　优点：使用方便迅速，适用于研究性的样品性能测试。 　缺点：熔点低，易氧化，不能焊接，与半导瓷结合强度低，实际中较少用。 2、烧渗银电极(欧姆银电极) 　将金属银的微粒或银的化合物或两者的混合物被覆在半导瓷的表面，在一定温度下加热后，金属状态的银即可附着在瓷体表面形成电极。 特点：附着力强度高，可焊性好，比较稳定。 　　但要加入强还原金属(Zn、Sn等)，它们与表层氧结合，破坏氧化高阻层，获得欧姆接触电极 3、镀镍电极(化学镀) 　敏化液温度：30-40℃ 　活化液温度：50-60℃--5分钟后就能形成贵金属Pd膜。 　预镀液3.5%次亚磷酸鈣：为了避免将氯化钯带入镀镍槽，活化的瓷片先浸入预镀液，30’. 　镀镍溶液温度恒定：95℃左右，3’就可在样品表面析出厚1um的镍层。 　镀完镍的样品，镍层与瓷片间的接触电阻相当大，清洗后必须进行热处理（400℃） 热处理条件与电压－电流特性的关系 电阻率变化率与热处理温度的关系 4、烧渗或火焰喷涂Al电极 　　用压缩气体将熔融金属以细小液滴状，喷射到半导瓷表面形成电极。一般是熔点较低的金属Al、Sn、Zn 5、双层电极 　　多数欧姆接触电极不易焊引线，再烧渗一层普通银电极。 NTC（negative temperature coefficient) 绝大部分是具有尖晶石结构的过渡金属氧化物的固溶体及其机械混合物。 萤石型结构：ZrO2-Y2O3，ZrO2-CaO； 尖晶石结构（Al2O3、MgO为主成分）：CoAl2O4系，NiAl2O4系，Mg（Al、Cr、Fe）2O4系 用于汽车排气温度检测，工业、家庭烹饪等设备 一、导电机理 1、化学计量比偏离： 采用氧化或还原气氛烧结，分别产生p型和n型半导体，形成电子或空穴导电。 如Cu2O（p型），ZnO（n型） 　 2、掺杂 引入少量与主成分金属离子种类不同、电价不等（或种类相同，电价不等）的金属离子，产生不等价置换，从而产生p型和n型半导体，实现电子或空穴导电。 　由多种氧化物组成的NTC热敏电阻的半导化，可以看成是掺杂的结果。 二、主要性能参数 1、电阻随温度变化：RT = R0 exp（B/T） 　RT：温度T时热敏电阻的电阻值 　R0 ：温度T→∞时热敏电阻的电阻值 　B：热敏电阻常数　 　B＝ΔE / k 　ΔE：电导激活能 　K：波尔兹曼常数 2、电阻温度系数 　　αT在工作温度范围内不是常数，随温度的升高迅速减小 　　B值越大，同样温度下的α 也越大－灵敏度越高 lnRT = lnR0 + B/T A (1/T1, lnRT1 ) B (1/T2, lnRT2 ) 某一温度下阻值的通用式 三、生产工艺特点 电极制备：NTC一般为P型半导瓷，与银可形成可靠的欧姆接触，采用银浆作电极材料 阻值调整：除改变组分配比和烧结条件，还采取调阻的措施 　　高温烧结的NTC热敏陶瓷常具有尖晶石结构和变价金属氧化物所形成的固溶体 　　高温快速冷却时，可以基本保持高温相，这时导电良好的尖晶石相如CuMn2O4（σ20=10Ω-1?m-1）、MnCo2O4（σ20=0.13Ω-1?m-1）等及其固溶体是主要晶相，其阻值较低。 　　高温缓慢冷却（氧化分解）时，则固溶体分解成多种氧化物，这些导电不良的氧化物对尖晶石相起着包围和分隔的作用，使阻值增高。 3、敏化处理： 　调阻后，性能还不够稳定，新生的晶体会吸附或吸收空气中的氧使阻值变化，因而在制造过程中常在200-600℃进行50-100h的热处理，消除使用中的不稳定性。 敏化处理只改变材料的氧吸附或吸收情况，并不改变其原来的晶体结构。 4、老练  　　装配完，不够稳定，必须老练处理：将产品在等于或略高于工作温度的恒温箱中100-500h；或在略高于工作温度范围进行多次正负温度循环 Jonker等人-晶界铁电补偿 BaTiO3晶粒为半导体，晶界为高阻值氧化层。 居里点以下，BaTiO3为铁电四方相，存在自发极化ρS，铁电畴在晶界上的定向排列形成了正负相间的界面电荷，晶界上原来俘获的空间电荷会被铁电极化强度强度在晶界法线方向的分量所削弱或抵消—称为铁电补偿。铁电补偿抵消了晶界势垒→晶界接触电阻下降，产生“电子通道”，使在居里温度以下的电阻率显著降低。 2、Daniels的钡空位模型 无法圆满解释不少实验现象： PTC效应只出现在施主掺杂的N型半导体中，而用还原法制备的N型半导体材料不存在PTC效应 PTC效应受冷却方式影响极大 晶粒表面钡缺位高阻层模型 PTC效应是由钡缺位的不均匀分布在晶界上形成高阻层势垒而引起的。 ① BaTiO3半导体陶瓷晶界不是一个界面，而是一个具有一定厚度的边界层或