第3章 集成电路工艺原理.pptVIP

集成电路工艺原理 复旦大学微电子研究院 2003.8 第五章 离子注入(Ion Implantation) §5.1 前言 离子注入优点 §5.2 注入离子在半导体中的射程分布 3 射程分布以平均投影射程Rp、及其标准偏差?Rp和横向标准偏差?R?描述。 3 射程的粗略计算 已知入射离子与靶原子核间相互作用的势能关系即可求得Sn(E); LSS理论对电子阻挡本领作一级近似，在常用注入离子范围内电子阻挡本领Se(E)与入射离子的速度成正比，即与入射离子能量的平方根成正 图中给出了Se(E)和Sn(E)与E之间的关系，在E2处核阻挡和电子阻挡相等；对不同材料的靶和入射离子E2不等。 (2) 高能区（入射离子能量E0E2):此时，电子阻挡本领占优，核阻挡可忽略，这时入射离子在Si中的射程与初始能量E0的平方根成正比 （1）纵向分布 与热扩散不同，这种形式的浓度分布，最大浓度分布不是在样品表面，而是在靶内平均投影射程X=Rp处； 原因： 由于沟道效应的存在，在晶体中注入将偏离LSS理论在非晶体中的高斯分布，由图可见，浓度分布中出现一个相当长的“尾巴”： 注入离子入射到晶体中的几种情况： 减弱或消除沟道注入的措施： §5.3 离子注入损伤及其退火处理 一个E0Ec的入射离子，在晶体中发生一系列碰撞后，产生的空位－间隙原子对的数目近似为 N(E) = 0.42E0/Ed 与离子质量关系 与注入剂量的关系 在室温附近临界剂量与温度的倒数成指数关系，随着靶温的升高： 温度愈高↑，愈不易产生损伤，临界剂量相应↑ 三，损伤退火 (Damage Annealing） 2 原理 3 退火条件 4 硅基片的退火特性 硅中杂质的激活能约3.5ev，而硅原子本身扩散激活能一般为5.5ev，即载流子激活所需要的温度比起寿命和迁移率恢复所需要的温度低； 5，退火方法 §5.4 双极型制造(Bipolar Fabrication) 三 其它应用 硅衬底背面损伤形成吸杂区 Implantation 三 其它应用 硅衬底背面损伤形成吸杂区 Backside Damage Layer Formation for Gettering 形成SOI结构 Silicon-on-Insulator Using Oxygen or Nitrogen Implantation §5.5 离子注入系统 磁分析器(magnet analyzer) 聚焦和扫描系统 (deflection and scanning ) 离子束的剂量测量 第六章 光刻原理和技术 §6.1 引言 §6.1 引言 1958年前后光刻技术在半导体器件制造中首次得到成功应用，研制成平面晶体管成为平面工艺的重要组成部分，推动了IC的发明和飞速发展； 器件结构的横向控制几乎全部由光刻来实现； §6.2 光刻原理 一 光刻技术可分为三个部分 1 光源（Light Source） 由（2）式可见： 2 硅片曝光系统(Wafer exposure system) (1) 接触式曝光 Contact printing (2) 接近式曝光－proximity printing 接近式曝光所引起的近场衍射： (3) 投影光刻 — projection printing 三种曝光系统比较 3 光致抗蚀剂 (Photo-Resist) §6.3 光致抗蚀剂 (Photo-Resist) 正胶机制 2 负性光刻胶（ Negative Optical resist） 3 正胶和负胶的比较 二 光致抗蚀剂性能参数 1 光学性质 2 机械化学性质 （3）稳定性 理想光刻胶应满足的要求 §6.4 光刻过程及其原理 1 衬底处理 (substrate cleaning) 2 涂胶 (spin-coating) 3 前烘 (pre-bake) (4) 对位与曝光 最佳曝光量的确定： 留膜率越高，显影后保留的胶越厚，抗腐蚀能力越强；显影后，如胶膜太薄，腐蚀时就易产生针孔； 套准精度 5 显影 develop 显影机理 湿法显影的缺点： （2）干法显影 6 后烘 post-bake 7 腐蚀 etch 腐蚀方法 SiO2腐蚀时对温度最敏感，温度愈高，速率愈快； 腐蚀液的搅动方式对SiO2的腐蚀速率也有影响 (2) Si3N4的腐蚀 (3) 铝腐蚀 干法腐蚀：又称干法刻蚀，是指用腐蚀剂的气态离子与被腐蚀的表面接触来实现腐蚀功能； 湿法腐蚀和干法腐蚀的特点 8 去胶 strip §6.5