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* */118 解决方案命令组 在解决方案命令组中，我们需要使用Log语句来输出并 保存包含端口特性计算结果在内的记录文件，用Solving语句 来对不同偏置条件进行求解，以及用Loading语句来加载结 果文件。这些语句都可以通过Deckbuild：ATLAS Test菜单 来完成。 1 Vds=0.1V时，获得Id~Vgs曲线 下面我们要在NMOS结构中，获得Vds=0.1V时简单的 Id~Vgs曲线。具体步骤如下： 浙大微电子 * */118 在ATLAS Commands菜单中，依次选择Solutions和 Solve…项。Deckbuild：ATLAS Test菜单将会出现，如左 图所示；点击Props…键以调用ATLAS Solve properties菜 单；在Log file栏中将文件名改为“nmos1_”，如右图所示。 完成以后点击OK； 浙大微电子 * */118 将鼠标移至Worksheet区域，右击鼠标并选择Add new row，如下图所示； 一个新行被添加到了Worksheet中，如下图所示； 浙大微电子 * */118 将鼠标移至gate参数上，右击鼠标。会出现一个电极名 的列表。选择drain，如图所示； 点击Initial Bias栏下的值并将其值改为0.1，然后点击 WRITE键； 接下来，再将鼠标移至Worksheet区域，右击鼠标并选 择Add new row； 浙大微电子 * */118 这样就在drain行下又添加了一个新行，如图所示； 在gate行中，将鼠标移至CONST类型上，右击鼠标并 选择VAR1。分别将Final Bias和Delta的值改为3.3和0.1， 如下图所示； 浙大微电子 * */118 点击WRITE键，如下语句将会出现在Deckbuild文本窗 口中，如图所示。 Solve init Solve vdrain=0.1 Log outf=nmos1_0.log Solve name=gate vgate=0 vfinal=3.3 vstep=0.1 浙大微电子 * */118 上述语句以Solve init语句开始。这条语句提供了一个初 始猜想，即零偏置（或热平衡）情况下的电势和载流子浓度。 在得到了零偏置解以后，第二条语句即Solve vdrain=0.1 将会仿真漏极直流偏置为0.1V的情况。如果solve语句没有定 义某电极电压，则该电极电压为零。因此，不需要将所有电极 电压都用solve语句进行定义。 第三条语句是Log语句，即Log outf=nmos1_0.log。这 条语句用来将由ATLAS计算得出的所有仿真结果保存在 nmos1_0.log文件中。这些结果包括在直流仿真下每个电极的 电流和电压。 浙大微电子 * */118 要停止保存这些信息，可以使用带有“off ”的log语句如 log off，或使用不同的log文件名。 最后一条solve语句：Solve name=gate vgate=0 vfinal=3.3 vstep=0.1 使栅极电压从0V变化到3V，间隔为0.1V。注意在这条语 句中Name参数是不能缺少的，而且电极名区分大小写。 2 获取器件参数 在这个仿真中，还要获取一些器件参数，例如Vt，Beta 和Theta。这可以通过ATLAS Extract菜单来完成： 浙大微电子 * */118 在ATLAS Commands 菜单中，依次选择Extract 和Device…项。 Deckbuild：ATLAS Extaction菜单将会出现， 如右图所示；在默认情况 下，Test name栏中选择 的是Vt。用户可以修改默 认的计算表达式； 浙大微电子 * */118 点击WRITE键，Vt Extract语句将会出现在Deckbuild文本窗口中： extract name=“vt”(xintercept(maxslope(curve(abs(v.“gate”), abs(i.“drain”)))) -abs(ave(v.“drain”))/2.0) 下面，继续调用Deckbuild：ATLAS Extaction菜单。然后点击Test name并将其改为Beta，如下图所示； 点击WRITE键，Beta Extract语句将会出现在Deckbuild文本窗口中：