双向可控硅电路完整建模中Snubber.PDFVIP

第 12卷 第1期 电手元 嚣件主用 V01．12 No．1 2010年 1月 ElectronicComponentDeviceApplications Jan．20l0 doi：lO．3969j／．issn．1563-4795．2010．O1．021 双向可控硅电路完整建模中的 Snubber电路设计 章旭东 (同济大学超大规模集成电路研究所， 上海 200092) 摘 要 ：主要讨论 了双向可控硅 (TRIACs)典型应用电路和缓冲电路 (Snubbe~ 的设计方法， 根据双向可控硅受负载电流过零点控制转向。因而可能在感性负载应用中迫使可控硅误导通 的特点，分析 了合适Snubber电路设计的关键 。并通过完整电路的建模方法，分析 了双向可控 硅典型应用 电路的snubber电路设计 。 关键词 ：TRIACs；Snubber；误差分析 ；阻尼比；峰值 电压 ；换向电压上升率 0 引言 阶段 电路的阶段特性 ，以此来设计合适的Snub— ber电路的RC参数 。 可控硅是当前应用最为广泛的功率负载控制 双 向导通器件之一 ，而可控硅的Snubber电路 的 1 双 向可控硅的电路建模 设计和可控硅控制主回路 。以及门级触发电路的 整流电感性负载电路是对可控硅转向要求比 设计具有相同的重要性 。随着3象限可控硅 的出 现 ，极大的提高了可控硅的 (dI／dt)c和 (dV／dt)c 较苛刻的电路之一。桥式整流二极管一般在电源 电压为零时截至 ．而可控硅则在交流端的电流为 能力 ，但在实际应用电路 中，特别是对可控硅转 零时转向。当电源电压为零时．负载电流因相位 向要求苛刻 的电路 中，为电路设计一个合适 的 滞后 ，其电流值并不为零 。故在桥式整流二极管 Snubber电路还是必须的 目前 ．经常采用 的Snubber设计方案主要是 上就会发生飞轮效应 ，使交流端电流快速衰减到 0，从而在可控硅两端产生极高的电流变化率 。 经验设计和技术文档 。经验值一般推荐为 ≥ 47Q，4．5nF≤Cs≤100nF：技术文档的方案一般 为了降低可控硅两端 的电流变化率 ，通常可在负 载端串接一个几mH的小 电感。 以意法半导体 (以下简称ST)公司的AN一437和 但感性负载的存在 ，势必会导致电压和电流 仙童半导体 (以下简称Fairchild)公司的AN一 3008为技术参考 ，这些参考文档中提供了基本的 存在相移 ，过高的换 向电压会导致结内尚未散失 参数设计公式 。通过 以上两种方案 ．所设计 的 的移动载流子定 向移动 ，从而形成 门级触发 电 流 ，使得可控硅误触发导通。为此 ，本文以该电 Snubber电路已经可以满足基本应用 电路的需要 ， 路模型的欠阻尼振荡情况 (0《1)为例来进行建 有效地提高了应用电路 中可控硅 的可靠性 。但 模分析 ，以期将其推广到各种电路的