二氧化碲一维纳米结构气敏性能研究微电子学与固体电子学专业论文.docxVIP

分类号 分类号 TN303 密级—— 学号 2Q12Q21 1QQ2窆 二氧化碲一维纳米结构气敏性能研究 Research on Gas S ensing Properties of Te02 Quasi--one--dimensional Nanostrucmres 湖南师范大学学位评定委员会办公室 二。一五年五月 万方数据 摘要Te02作为宽禁带的P型半导体材料，对氧化还原性气体具有极 摘要 Te02作为宽禁带的P型半导体材料，对氧化还原性气体具有极 高的灵敏度，在气敏传感方面展现了优越的性能。本文在室温下对 Te02准一维纳米结构的气敏性能进行了深入的研究。 以纯净的Te粉为原料，以镀有2纳米金膜的硅片作为衬底，采 用化学气相沉积法制备出Te02准一维纳米结构。采用XRD，SEM 表征Te02准一维纳米结构的相组成以及微观结构。结果表明，Te02 纳米线具有四方相晶体结构，长度约为几十微米，直径约为50---200 nl-n之间。在Te02纳米线的顶端未发现Au颗粒，表明Te02纳米线按 照气一固机制进行生长。 利用金属丝掩膜法，构筑了基于单根TeOz准一维纳米结构的“金 属／TeOz准一维纳米结构／金属”电阻型气敏传感器件。室温下测试了 传感器件在不同环境(空气、真空、H2S)下的电输运性能，探讨了 气体吸附对器件电导率的影响。在大气中，由于氧分子的吸附，增加 了空穴浓度，器件的电导增强，而在强还原性硫化氢气体中，器件电 导减少。同时发现器件具有忆阻效应，空气中氧空位浓度的增加增强 了忆阻效应，硫化氢中多数载流子空穴的减少抑制了忆阻效应，证实 了忆阻机理：氧空位在电场的作用下发生迁移，改变了接触势垒宽度， 增强电子隧穿几率，从而改变电导，导致忆阻现象。 研究表明，在室温下二氧化碲准一维纳米结构对氧化还原性气体 具有极高的灵敏度。为实现低功耗，室温工作的高性能气敏传感器提 万方数据 供了气敏元件基础。关键词：TeO：纳米线；气敏传感；电输运性能；硫化氢；忆阻器 供了气敏元件基础。 关键词：TeO：纳米线；气敏传感；电输运性能；硫化氢；忆阻器 万方数据 ABSTRACTTe02 ABSTRACT Te02 is a p-type semiconductor material，which has a wide band gap．It is hi曲ly sensitive to redox gas and shows superior performance in the aspect of gas sensitive sensor．In this thesis dissertation，we delve into the gas—sensitive properties of Te02 nanowires at room temperature． Te02 nanowires were synthesized on Au-coated S i substrate by chemical vapor deposition using Te powder as the source material．The gas sensor was prepared by using Te02 nanowires as the sensing material． Microstructure characterization by means of XRD and SEM shows that Te02 nanowires are single phase of tetragonal structure．The nanowires were approximately several tens of micrometers in length and 5 0 7、、。200 nnl in diameter．There are no Au particles on the tip of Te02 nanowires， revealing that Te02 nanowires grow according to the vapor-solid mechanism． Resistive sensors based on individual Te02 nanowires with the structure of metal／Te02 nanowire／metal have been fabricated by wire mask．Electrical transport properties of these devices have been tested at room temperature in air,vacuum and hyd